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AOD413A 发布时间 时间:2025/4/27 19:21:29 查看 阅读:3

AOD413A是一款基于增强型P沟道功率MOSFET的场效应晶体管,具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点。它广泛应用于负载开关、电源管理、电机控制以及各种电子设备中的电流控制场合。
  该器件采用小型化SOT-23封装,便于PCB布局设计,同时提供出色的电气性能和热稳定性,非常适合便携式设备和其他对空间要求较高的应用。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:-2.6A
  导通电阻(Rds(on)):50mΩ(典型值,Vgs=-4.5V)
  栅极电荷:7nC(典型值)
  总功耗:410mW
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

1. 超低导通电阻:在相同的封装条件下,Rds(on)值较低,能够有效降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度:优化的栅极电荷设计使器件具备更快的开启和关闭时间,从而减少开关损耗。
  3. 小型化封装:SOT-23封装节省了PCB空间,满足现代电子产品对小型化的需求。
  4. 高可靠性:具备良好的抗静电能力(HBM≥2kV),确保在复杂电磁环境下的稳定运行。
  5. 宽工作温度范围:支持从-55℃到+150℃的结温范围,适用于工业级和消费级场景。

应用

1. 手机和平板电脑中的负载开关
  2. 电池供电设备的电源管理
  3. 消费类电子产品的过流保护电路
  4. 电机驱动及控制
  5. DC/DC转换器和降压升压模块
  6. 各种需要高效电流控制的场景

替代型号

AO3401A
  AON7542L
  IRFL9303

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AOD413A参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C44 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1125pF @ 20V
  • 功率 - 最大50W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1218-6