AOD413A是一款基于增强型P沟道功率MOSFET的场效应晶体管,具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点。它广泛应用于负载开关、电源管理、电机控制以及各种电子设备中的电流控制场合。
该器件采用小型化SOT-23封装,便于PCB布局设计,同时提供出色的电气性能和热稳定性,非常适合便携式设备和其他对空间要求较高的应用。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±8V
持续漏极电流:-2.6A
导通电阻(Rds(on)):50mΩ(典型值,Vgs=-4.5V)
栅极电荷:7nC(典型值)
总功耗:410mW
工作结温范围:-55℃至+150℃
1. 超低导通电阻:在相同的封装条件下,Rds(on)值较低,能够有效降低导通损耗,提升系统效率。
2. 快速开关速度:优化的栅极电荷设计使器件具备更快的开启和关闭时间,从而减少开关损耗。
3. 小型化封装:SOT-23封装节省了PCB空间,满足现代电子产品对小型化的需求。
4. 高可靠性:具备良好的抗静电能力(HBM≥2kV),确保在复杂电磁环境下的稳定运行。
5. 宽工作温度范围:支持从-55℃到+150℃的结温范围,适用于工业级和消费级场景。
1. 手机和平板电脑中的负载开关
2. 电池供电设备的电源管理
3. 消费类电子产品的过流保护电路
4. 电机驱动及控制
5. DC/DC转换器和降压升压模块
6. 各种需要高效电流控制的场景
AO3401A
AON7542L
IRFL9303