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AOD407 发布时间 时间:2025/5/26 17:16:26 查看 阅读:19

AOD407是一种N沟道增强型MOSFET,广泛应用于电源管理、开关电路以及电机驱动等场景。该器件采用TO-252封装形式,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适合于高效能转换需求的电子设备。
  该MOSFET的工作电压范围宽广,可满足多种电路设计要求,同时其出色的热稳定性和可靠性使其成为工业及消费类应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:13.8A
  导通电阻:30mΩ
  栅极电荷:9nC
  总功耗:1.2W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

AOD407具有以下显著特点:
  1. 低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高速开关性能,能够适应高频电路的需求。
  3. 小尺寸封装(TO-252),节省PCB空间。
  4. 热稳定性好,在高温环境下仍能保持可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  这些特性使得AOD407在各类电子应用中表现出色,尤其适用于需要高效能和紧凑设计的场合。

应用

AOD407主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC/DC转换器中的功率开关。
  3. 电池保护电路。
  4. 消费类电子产品中的负载开关。
  5. 电机驱动电路。
  由于其良好的电气特性和封装优势,AOD407是众多工程师在进行相关电路设计时的首选元器件之一。

替代型号

AON407, IRLML6402

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AOD407参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C115 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1185pF @ 30V
  • 功率 - 最大50W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1102-6