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AOD403 发布时间 时间:2025/5/29 2:05:23 查看 阅读:11

AOD403是一款N沟道增强型MOSFET,采用小型SOT-23封装。该器件广泛应用于便携式设备、电源管理、负载开关、电机驱动和信号电平等领域。由于其低导通电阻和快速开关特性,AOD403非常适合要求高效能和小尺寸的应用场景。
  AOD403的主要特点是其较低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高整体效率。此外,它还具有较高的栅极阈值电压,确保在特定条件下能够稳定工作。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  持续漏电流:1.8A
  导通电阻(Rds(on)):160mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:3nC(典型值)
  总功耗:410mW(在TA=25℃时)
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

1. 小型SOT-23封装,节省PCB空间。
  2. 较低的导通电阻(Rds(on)),降低功率损耗。
  3. 快速开关速度,适合高频应用。
  4. 高栅极阈值电压,保证稳定的开关操作。
  5. 工作温度范围广,适应多种环境条件。
  6. 高可靠性,适用于多种电子设备。

应用

1. 便携式电子设备中的负载开关。
  2. 开关电源中的同步整流。
  3. 消费类电子产品中的信号电平转换。
  4. 电池供电设备中的电源管理。
  5. 小型电机驱动控制。
  6. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  SI2302DS
  FDC6501

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AOD403参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C70A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 20A,20V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5300pF @ 15V
  • 功率 - 最大100W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1101-6