时间：2025/5/8 15:19:44
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AOD380A60C是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），主要用于高频和高功率应用。它采用先进的封装设计，能够实现卓越的开关性能和热管理能力。该器件适用于电源管理、通信设备、工业驱动等场景。
型号：AOD380A60C
类型：增强型MOSFET
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω
栅极电荷（Qg）：70nC
开关频率：最高可达5MHz
工作温度范围：-40℃至+125℃
AOD380A60C具有低导通电阻和快速开关速度的特点，这使得它在高频应用中表现出色。
此外，其高击穿电压使其非常适合高压环境下的操作。与传统硅基MOSFET相比，这款器件具备更高的效率和更低的损耗，有助于提升系统的整体性能。
GaN材料的应用也赋予了该晶体管更优的热稳定性和可靠性，进一步拓宽了其使用范围。
AOD380A60C广泛应用于各种高要求领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 无线充电设备
4. 工业电机驱动
5. 光伏逆变器
6. 电动汽车充电桩
7. 高频通信系统
这些应用都得益于其高效能、低损耗和高温适应性等特点。
AOD380A60B, AON6945, Infineon IPW60R090C6
