时间：2025/5/20 20:57:09
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AO6604是一种N沟道增强型MOSFET，由Alpha and Omega Semiconductor（万代半导体）生产。该器件采用小尺寸的DFN3x3-8封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能功率转换应用。其出色的性能使其成为消费电子、通信设备以及工业控制等领域的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：5.2mΩ
栅极电荷：9nC
输入电容：1220pF
典型阈值电压：1.2V
工作温度范围：-55℃至150℃
AO6604具有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率。同时，它的栅极电荷较小，能够实现快速开关操作，从而降低开关损耗。此外，该器件支持较宽的工作温度范围，并具备出色的热稳定性，确保在各种环境条件下都能可靠运行。
由于采用了DFN3x3-8封装，AO6604不仅节省了电路板空间，还提供了卓越的散热性能。其增强型设计非常适合用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效功率管理的应用场景。
AO6604广泛应用于移动设备充电器、适配器、笔记本电脑电源管理、LED驱动器以及电机驱动等领域。它在便携式电子产品中的表现尤为突出，因为这些设备通常要求高效且紧凑的解决方案。此外，在分布式电源系统和多相电压调节模块中，AO6604也能发挥重要作用。
IRF7843N, FDS6600A
