AO6404是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Alpha and Omega Semiconductor公司生产。该器件适用于需要低导通电阻和高开关速度的应用场景,广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。
AO6404采用小型化的SOT-23封装形式,具有出色的热性能和电气特性,使其成为便携式电子设备和空间受限设计的理想选择。
型号:AO6404
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源极电压):30V
RDS(on)(导通电阻,典型值@ VGS=10V):85mΩ
IDS(连续漏极电流):1.7A
VGS(栅源极电压):±20V
总功耗:450mW
封装:SOT-23
AO6404的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻RDS(on),能够在高频工作条件下减少传导损耗,提高系统效率。
2. 高速开关性能,支持高频应用,例如开关电源和DC-DC转换器。
3. 小尺寸SOT-23封装,适合紧凑型设计。
4. 静电放电保护功能(ESD Protection),提高了器件在实际使用中的可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保无铅工艺制造。
6. 优异的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现(-55°C至+150°C)。
这些特性使AO6404非常适合对空间和效率有严格要求的应用场景。
AO6404可广泛应用于以下领域:
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. DC-DC转换器和降压/升压转换电路中的功率开关。
3. 电池供电设备中的电源管理模块。
4. 电机驱动电路中的开关元件。
5. 各种消费类电子产品中的信号切换和保护电路。
由于其低导通电阻和高效率,AO6404特别适合用作负载开关或同步整流器中的功率MOSFET。
AO3400
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