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AO6404 发布时间 时间:2025/5/20 21:06:04 查看 阅读:23

AO6404是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Alpha and Omega Semiconductor公司生产。该器件适用于需要低导通电阻和高开关速度的应用场景,广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。
  AO6404采用小型化的SOT-23封装形式,具有出色的热性能和电气特性,使其成为便携式电子设备和空间受限设计的理想选择。

参数

型号:AO6404
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源极电压):30V
  RDS(on)(导通电阻,典型值@ VGS=10V):85mΩ
  IDS(连续漏极电流):1.7A
  VGS(栅源极电压):±20V
  总功耗:450mW
  封装:SOT-23

特性

AO6404的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻RDS(on),能够在高频工作条件下减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频应用,例如开关电源和DC-DC转换器。
  3. 小尺寸SOT-23封装,适合紧凑型设计。
  4. 静电放电保护功能(ESD Protection),提高了器件在实际使用中的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅工艺制造。
  6. 优异的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现(-55°C至+150°C)。
  这些特性使AO6404非常适合对空间和效率有严格要求的应用场景。

应用

AO6404可广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
  2. DC-DC转换器和降压/升压转换电路中的功率开关。
  3. 电池供电设备中的电源管理模块。
  4. 电机驱动电路中的开关元件。
  5. 各种消费类电子产品中的信号切换和保护电路。
  由于其低导通电阻和高效率,AO6404特别适合用作负载开关或同步整流器中的功率MOSFET。

替代型号

AO3400
  IRLML6402
  FDMC882E

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AO6404参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C17 毫欧 @ 8.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17.9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1810pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1071-6