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AO6402 发布时间 时间:2025/8/2 8:54:39 查看 阅读:48

AO6402是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理和功率开关应用而设计,具有低导通电阻(RDS(ON))和高电流承载能力,适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各类高功率密度电源设备。AO6402采用先进的Trench MOSFET技术,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,使其在高频开关应用中表现出色。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):80A(@25°C)
  导通电阻(RDS(ON)):4.5mΩ(@VGS=10V)
  功率耗散(PD):120W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:双排DFN5x6(5mm x 6mm)

特性

AO6402的显著特性之一是其极低的导通电阻,通常在4.5mΩ左右,这使得它在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于提高开关效率并减少开关过程中的能量损耗,适合高频工作环境。
  此外,AO6402具有较高的热稳定性和耐用性,其双排DFN5x6封装提供了良好的散热性能,有助于在高功率密度应用中维持较低的结温。这种封装方式还具备较小的体积,适合空间受限的PCB布局设计。
  AO6402还具备良好的雪崩能量承受能力,能够在突发的过电压或感性负载切换情况下提供一定的保护作用。其栅极氧化层经过优化设计,提高了抗静电能力和长期可靠性,确保在复杂电磁环境下的稳定运行。
  该MOSFET还具有快速开关响应时间,导通延迟时间(td(on))和关断延迟时间(td(off))均在纳秒级别,适用于需要快速切换的电源拓扑结构如同步整流、Buck/Boost转换器等。

应用

AO6402广泛应用于各类电源管理系统,包括但不限于服务器电源、通信设备电源、工业控制系统、便携式电子设备的电源管理模块以及电动工具和电池供电设备中的功率开关。此外,它也常用于电机控制、LED照明驱动电路以及电池充电和保护电路中。
  在服务器和通信设备中,AO6402作为DC-DC转换器的主要开关元件,能够有效提升电源转换效率,降低热损耗。在电动工具中,它可作为电机驱动的高效开关,提供高可靠性和长使用寿命。在电池管理系统中,AO6402用于实现电池充放电控制和保护功能,确保系统安全稳定运行。

替代型号

Si7461DP, NexFET CSD17551Q5A, AO4468, AO4407A

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