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AO4840E 发布时间 时间:2025/4/29 17:00:29 查看 阅读:2

AO4840E是Alpha and Omega Semiconductor(AOS)公司推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用超薄的小型DFN3x3-8L封装,适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。AO4840E以其较低的Rds(on)(导通电阻)而著称,能够在高频开关应用中显著降低功耗。其额定电压为60V,适合用于消费类电子、计算机及外设、通信设备以及工业控制等领域的负载切换、DC-DC转换器和电机驱动电路。
  AO4840E的主要特点是其极低的导通电阻和栅极电荷,这使得它非常适合在高电流和高频条件下工作。此外,其小型化的封装使其非常适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):29A
  导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):37nC
  总电容(Ciss):2350pF
  工作温度范围(Tj):-55°C至+150°C

特性

AO4840E具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,仅为2.8mΩ(典型值),可有效降低导通损耗。
  2. 小型DFN3x3-8L封装,节省PCB空间。
  3. 高电流承载能力,最大连续漏极电流可达29A。
  4. 快速开关性能,得益于低栅极电荷设计。
  5. 宽工作温度范围,从-55°C到+150°C,确保在各种环境下的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于使用在现代电子产品中。

应用

AO4840E广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 各种负载开关应用,如USB充电端口保护。
  3. 消费类电子产品的电源管理模块。
  4. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
  5. 计算机及其外设中的高效电源解决方案。
  6. 通信设备中的电源分配网络。

替代型号

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AO4840E参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥2.17867卷带(TR)
  • 系列AlphaMOS
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)28 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)520pF @ 20V
  • 功率 - 最大值2W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC