AO4840E是Alpha and Omega Semiconductor(AOS)公司推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用超薄的小型DFN3x3-8L封装,适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。AO4840E以其较低的Rds(on)(导通电阻)而著称,能够在高频开关应用中显著降低功耗。其额定电压为60V,适合用于消费类电子、计算机及外设、通信设备以及工业控制等领域的负载切换、DC-DC转换器和电机驱动电路。
AO4840E的主要特点是其极低的导通电阻和栅极电荷,这使得它非常适合在高电流和高频条件下工作。此外,其小型化的封装使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):29A
导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):37nC
总电容(Ciss):2350pF
工作温度范围(Tj):-55°C至+150°C
AO4840E具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,仅为2.8mΩ(典型值),可有效降低导通损耗。
2. 小型DFN3x3-8L封装,节省PCB空间。
3. 高电流承载能力,最大连续漏极电流可达29A。
4. 快速开关性能,得益于低栅极电荷设计。
5. 宽工作温度范围,从-55°C到+150°C,确保在各种环境下的可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保且易于使用在现代电子产品中。
AO4840E广泛应用于以下领域:
1. DC-DC转换器中的功率开关。
2. 各种负载开关应用,如USB充电端口保护。
3. 消费类电子产品的电源管理模块。
4. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
5. 计算机及其外设中的高效电源解决方案。
6. 通信设备中的电源分配网络。
AO4840