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AO4826 发布时间 时间:2025/6/30 12:50:13 查看 阅读:6

AO4826是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)公司生产的N沟道MOSFET。该器件采用DFN3333-8封装形式,具有超低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于消费电子、通信设备以及计算机周边产品中的负载开关、DC-DC转换器、电池管理等应用。其额定电压为30V,能够满足多种低压应用场景的需求。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:5.7A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:8nC(典型值)
  开关时间:t_on=11ns,t_off=15ns(典型值)
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

AO4826以其卓越的性能表现而著称,主要特性包括:
  1. 超低导通电阻(Rds(on)),可显著降低功耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频开关电路。
  3. 小型DFN3333-8封装,有助于节省PCB空间。
  4. 栅极阈值电压低,易于与逻辑电路兼容。
  5. 具备出色的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

AO4826广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的负载开关和电源管理。
  2. 移动设备及便携式设备中的高效DC-DC转换。
  3. 电池保护和充电管理电路。
  4. 计算机外设和网络设备中的功率分配。
  5. LED驱动和背光控制。
  6. 各种需要低损耗、快速响应的开关场合。

替代型号

AO4828
  IRLML6402
  FDMQ8207

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AO4826参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 6.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2300pF @ 30V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1061-6