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AO4822 发布时间 时间:2025/5/12 12:32:58 查看 阅读:7

AO4822是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN33-2L封装,适用于对空间要求严格的电路设计。AO4822具有低导通电阻(Rds(on)),这使其非常适合用于便携式设备、开关电源、负载开关以及其他高效能应用中。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻:65mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:1.8nC(典型值)
  总电容:27pF(典型值)
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

AO4822具备极低的导通电阻和栅极电荷,从而减少了导通损耗和开关损耗。同时,其小尺寸封装使得它非常适合于移动设备等空间受限的应用场景。
  此外,AO4822的高效率、快速开关特性和出色的热稳定性也使其成为消费电子和工业控制领域的理想选择。

应用

该MOSFET广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 消费类电子产品中的负载开关和电源管理模块;
  2. 移动设备充电器和适配器中的同步整流;
  3. 便携式电池供电设备中的DC/DC转换电路;
  4. 小型化工业控制系统中的开关元件。

替代型号

AOZ4822, FDN340P, BSS138

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AO4822参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)19 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)18nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)888pF @ 15V
  • 功率 - 最大值2W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC