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AO4800 发布时间 时间:2025/5/22 17:17:37 查看 阅读:21

AO4800是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道MOSFET。它采用小型化的SOT-23封装形式,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于便携式设备、消费类电子产品以及需要高效率和小体积的应用场景。
  该器件适用于电源管理应用,例如负载开关、DC-DC转换器、同步整流器等。其低导通电阻能够减少功率损耗,提高整体系统的效率。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  持续漏极电流:2.6A
  导通电阻:150mΩ(典型值,当Vgs=4.5V时)
  总功耗:410mW
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

AO4800采用了先进的工艺制造技术,具有以下特点:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),在4.5V栅极驱动电压下,典型值为150mΩ,有助于降低传导损耗。
  2. 高速开关性能,能够支持高频开关应用。
  3. 小型化SOT-23封装,适合空间受限的设计。
  4. 可靠性高,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规要求。

应用

AO4800广泛应用于各种低功率和中等功率的电子系统中,包括但不限于:
  1. 手机和平板电脑中的负载开关。
  2. USB端口保护和控制。
  3. 各种便携式设备的电池管理。
  4. DC-DC转换器和降压电路中的开关元件。
  5. 同步整流器设计中的关键组件。
  由于其出色的电气特性和紧凑的封装尺寸,AO4800是许多便携式和高效能应用的理想选择。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  SI2302DS

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AO4800参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.9A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)27 毫欧 @ 6.9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)630pF @ 15V
  • 功率 - 最大值2W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC