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AO4566 发布时间 时间:2025/6/11 17:51:57 查看 阅读:8

AO4566是Alpha and Omega Semiconductor(AOS)公司生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用DFN33-8L封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用。AO4566通常被用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等领域。
  这款MOSFET的主要特点是其极低的导通电阻(Rds(on)),在10V栅极驱动电压下,典型值仅为2.5mΩ。这一特性使其非常适合于需要高效能和低损耗的应用场合。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(@ Vgs=10V)
  栅极电荷:17nC
  输入电容:1680pF
  总热阻(结到环境):48℃/W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

AO4566拥有非常低的导通电阻,可以显著降低传导损耗,从而提升系统效率。它的高电流承载能力和快速开关性能,使得它非常适合高频功率转换应用。
  此外,该器件还具有较低的栅极电荷和输出电容,这有助于减少开关损耗并提高整体效率。由于采用了DFN33-8L封装,AO4566具备良好的散热性能和紧凑的尺寸,适合空间受限的设计环境。
  在可靠性方面,AO4566遵循严格的制造标准,并通过了多项质量测试,确保其在各种恶劣环境下的稳定运行。

应用

AO4566广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。具体包括但不限于以下应用场景:
  1. DC-DC转换器中的同步整流功能。
  2. 负载开关,在电源管理中实现动态负载控制。
  3. 电机驱动电路,用作功率级开关元件。
  4. 电池保护和管理电路,防止过充或过放。
  5. 各类便携式设备的电源管理系统,如笔记本电脑适配器和智能手机快充模块。
  由于其出色的性能和可靠性,AO4566成为工程师们设计高效功率转换解决方案时的理想选择。

替代型号

IRF7843,
  AON7566,
  SI4486DY

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AO4566参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥1.29385卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)542 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)