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AO4492 发布时间 时间:2025/5/29 11:37:33 查看 阅读:6

AO4492是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道MOSFET。该器件采用超小型DFN33-2L封装,具有极低的导通电阻和快速开关特性,适合应用于空间受限且对效率要求较高的电路设计中。其工作电压范围为20V,能够广泛用于便携式电子设备、负载开关、DC-DC转换器以及电池管理等应用领域。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:2.8A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷:6nC
  开关速度:快速
  封装类型:DFN33-2L
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AO4492具有非常低的导通电阻(Rds(on)),在1.5mΩ的水平下可显著降低功率损耗并提高系统效率。
  其小型化的DFN33-2L封装使其非常适合于空间有限的应用场景。
  此外,该器件具备快速开关性能,能够有效减少开关损耗,并支持高频操作。
  AO4492还拥有良好的热稳定性和可靠性,在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。
  它的工作温度范围宽广,适应多种严苛的工作条件。

应用

AO4492适用于各种需要高效功率切换的场合,包括但不限于以下应用:
  1. 负载开关
  2. DC-DC转换器中的功率级开关
  3. 电池供电设备中的电源管理
  4. 便携式电子产品的电源开关
  5. 充电器及适配器中的同步整流
  6. 通信设备中的信号调节和保护

替代型号

IRLML6402
  Si2302DS
  FDMQ8207

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AO4492参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫欧 @ 14A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds770pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1290-6