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AO4482 发布时间 时间:2025/5/7 9:51:25 查看 阅读:9

AO4482是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用DFN5x6-8封装形式,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种高效能开关应用。AO4482通常用于消费电子、通信设备以及计算机相关的电源管理场景中。
  AO4482的设计目标是提供高效率和出色的热性能,同时保持小尺寸封装以适应现代电子产品的紧凑设计需求。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:7.5nC
  总电容:960pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

AO4482具备低导通电阻(Rds(on)),从而减少了传导损耗,提高了系统效率。此外,其低栅极电荷和快速开关能力使得该器件在高频开关应用中表现优异。
  该器件采用了先进的制程工艺制造,确保了卓越的热性能和可靠性。它的紧凑型DFN5x6-8封装进一步优化了PCB布局空间利用率,同时增强了散热性能。
  AO4482还支持较宽的工作温度范围,能够在严苛的环境下稳定运行,非常适合对效率和热管理有较高要求的应用场合。

应用

AO4482广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、LED驱动器以及其他需要高效能功率开关的领域。由于其出色的性能和紧凑的封装形式,这款MOSFET特别适合便携式设备、笔记本电脑适配器、平板电视等消费电子产品。
  在通信领域,AO4482可以作为基站或路由器中的功率开关使用。同时,它也适用于工业控制、汽车电子以及任何需要高性能功率管理解决方案的场景。

替代型号

AO4480
  IRLML6401
  FDMQ8207

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AO4482参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C37 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.7V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 50V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)