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AO4480 发布时间 时间:2025/4/28 16:13:47 查看 阅读:3

AO4480是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN33封装,具有极低的导通电阻和快速开关特性,非常适合用于便携式设备、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电应用等场景。
  AO4480的设计目标是提供高效能与小尺寸的结合,其低导通电阻能够显著减少功率损耗,并且在高频开关应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:20V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:5.1A
  导通电阻(典型值):6mΩ
  导通电阻(最大值):8mΩ
  栅极电荷:2.7nC
  输入电容:300pF
  总电容:180pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AO4480具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,确保高效率及减少发热。
  2. 小型DFN33封装,适合空间受限的应用。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗。
  4. 高雪崩耐量能力,提升系统可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 工作温度范围广,适应多种环境条件。
  7. 稳定的电气性能,在各种负载条件下表现一致。

应用

AO4480广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑中的电源管理。
  2. USB充电端口保护。
  3. DC-DC转换器和降压电路。
  4. 负载开关及电池保护。
  5. 固态硬盘(SSD)驱动控制。
  6. 消费类电子产品中的功率调节模块。
  7. 可穿戴设备和其他对尺寸和功耗敏感的应用。

替代型号

AOZ4480, IRF7843, FDN337N

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AO4480参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.5 毫欧 @ 14A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1920pF @ 20V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1040-6