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AO4441 发布时间 时间:2025/5/22 18:34:17 查看 阅读:30

AO4441是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN5*6-8L封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种电源管理应用,例如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等场景。
  AO4441的极低导通电阻使得它在高频开关应用中表现优异,同时其小尺寸封装非常适合对空间要求严格的设计。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:22A
  导通电阻:2.2mΩ
  栅极电荷:17nC
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:DFN5*6-8L

特性

AO4441具备非常低的导通电阻,从而降低了功率损耗并提高了效率。此外,其快速开关能力减少了开关损耗,在高频操作下尤为显著。
  该器件还支持宽范围的工作温度,并且具有良好的热稳定性,这使其能够适应多种恶劣环境下的应用需求。
  另外,AO4441的小巧封装有助于减少PCB板的空间占用,同时保持高性能和可靠性。

应用

AO4441广泛应用于需要高效能和紧凑设计的场合,包括但不限于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
  - DC-DC转换器
  - 负载开关
  - 电池保护电路
  - 电机驱动控制
  - 消费类电子产品中的电源管理模块

替代型号

IRLR7843, Si4426DY, FDS8911

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AO4441参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1120pF @ 30V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1196-6