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AO4422 发布时间 时间:2025/5/30 13:16:38 查看 阅读:7

AO4422是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型化的DFN5x6-8L封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用,如负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路等。AO4422的设计优化了功率效率和空间利用率,特别适合对尺寸敏感的应用场景。
  该MOSFET的低导通电阻(Rds(on))确保在高电流条件下产生较少的热量,同时其栅极电荷较低,能够实现快速开关操作以减少开关损耗。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:17A
  导通电阻(Rds(on)):1.3mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:29nC(典型值)
  总电容:1180pF(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:DFN5x6-8L

特性

AO4422的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,得益于低栅极电荷设计。
  3. 高电流承载能力,支持高达17A的连续漏极电流。
  4. 小型化封装,适合空间受限的应用。
  5. 良好的热性能,有助于散热管理。
  6. 宽工作温度范围,适应各种环境条件。
  这些特性使得AO4422成为便携式电子设备、消费类电子产品及工业电源管理系统的理想选择。

应用

AO4422适用于以下应用场景:
  1. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
  2. 负载开关,用于动态控制电路的开启与关闭。
  3. 电池保护电路,防止过充或过放。
  4. 开关电源(SMPS)中的功率级元件。
  5. 消费类电子产品的电源管理系统。
  6. 工业自动化设备中的信号切换与驱动。
  由于其高效性和紧凑性,AO4422特别适合需要高性能和小尺寸解决方案的场合。

替代型号

AOZ4422DH, IXTT40N06L, FDN340P

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