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AO4421 发布时间 时间:2025/6/20 12:55:42 查看 阅读:4

AO4421是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Alpha and Omega Semiconductor公司生产。它适用于需要低导通电阻和高效率的开关应用,广泛应用于消费电子、电源管理和工业控制领域。该器件采用SOT-23封装,具有出色的性能和紧凑的尺寸。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:1.6A
  导通电阻:150mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:3nC(典型值)
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

AO4421具有较低的导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  其小型SOT-23封装非常适合空间受限的应用。
  具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内正常工作。
  栅极驱动要求较低,便于与各种驱动电路配合使用。
  快速开关特性使其非常适合高频开关应用,例如DC-DC转换器和负载开关。

应用

AO4421常用于便携式设备中的电源管理,如手机、平板电脑和笔记本电脑的充电电路。
  在DC-DC转换器中作为同步整流开关或主开关使用。
  可用于电池保护电路,防止过充或过放。
  适合作为负载开关,用于动态开启或关闭不同的电路模块。
  还可以用于电机驱动、信号切换等场景。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  FDP1881
  BSS138

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AO4421参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 6.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs55nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2900pF @ 30V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1025-6