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AO4405E 发布时间 时间:2025/5/12 17:30:31 查看 阅读:22

AO4405E是Alpha & Omega Semiconductor公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域的电源管理应用。
  该MOSFET的封装形式为SOT-23-3,这种小型化封装使其非常适用于对空间要求较高的设计场景。其主要功能是在电路中作为开关或放大器件使用,能够高效地控制电流的通断。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:1.9A
  导通电阻:170mΩ
  总栅极电荷:4nC
  功耗:460mW
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AO4405E具有较低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高效率。同时,它具备快速开关能力,可以满足高频应用的需求。
  由于采用了SOT-23-3的小型封装,这款MOSFET在PCB布局上节省了大量空间,非常适合便携式设备和其他紧凑型设计。
  此外,AO4405E还具有出色的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能不变。

应用

AO4405E广泛应用于各种需要高效电源管理的场合,例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动以及背光驱动等。
  在消费电子产品领域,它可以用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器以及其他便携式设备的电源解决方案。
  在工业领域,AO4405E适用于各类自动化控制设备、传感器接口和通信模块中的电源管理部分。

替代型号

AO3400A
  IRLML6402
  FDMQ8207

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AO4405E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)45 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)16 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)495 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)