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AO4292E 发布时间 时间:2025/6/30 12:37:45 查看 阅读:8

AO4292E 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor(AOS)公司生产的 N 沣道艹沟增强型功率 MOSFET。该器件采用超薄的小型化封装(SOT-23),适用于对空间要求严格的电路设计,广泛应用于便携式电子设备、电池管理系统、DC-DC 转换器和负载开关等领域。
  其低导通电阻 (Rds(on)) 和极低的栅极电荷使其成为高效能开关应用的理想选择。

参数

型号:AO4292E
  类型:N 沟道 MOSFET
  Vds(漏源电压):30V
  Vgs(栅源电压):±20V
  Rds(on)(最大导通电阻):180mΩ(在 Vgs=4.5V 时)
  Id(持续漏极电流):2.7A
  Pd(功耗):470mW
  封装:SOT-23
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

AO4292E 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 小型 SOT-23 封装,适合高密度布局设计。
  3. 支持宽范围的工作电压,具有良好的耐压能力。
  4. 快速开关性能,得益于较低的栅极电荷和输出电容。
  5. 高可靠性,能够在极端温度条件下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。

应用

AO4292E 广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑中的电源管理模块。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流和开关功能。
  3. 电池保护电路,用于防止过流或短路情况。
  4. 各类消费电子产品中的负载开关。
  5. 低功耗物联网设备中的功率控制元件。
  6. LED 照明驱动器和其他需要小尺寸、高性能 MOSFET 的场合。

替代型号

AO4292

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AO4292E参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥2.88067卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型-
  • 技术-
  • 漏源电压(Vdss)-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)