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AO4268 发布时间 时间:2025/5/23 2:28:22 查看 阅读:3

AO4268是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用DFN5x6-8封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种高效能电源转换应用。其出色的性能使得AO4268在消费电子、通信设备以及工业控制等领域中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻:1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:2.5W
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

AO4268采用了先进的制造工艺,具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提升效率。
  2. 高速开关性能,能够支持高频操作,减少磁性元件尺寸。
  3. 较低的栅极电荷,简化了驱动电路设计,并降低了驱动功耗。
  4. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  5. 小型化的DFN5x6-8封装,节省PCB空间,适合紧凑型设计。

应用

AO4268广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电池管理系统的负载开关。
  4. 电机驱动中的功率级开关。
  5. 各类便携式电子设备中的电源管理解决方案。

替代型号

IRLZ44N, SI4470DY, FDMQ8207

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AO4268参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥5.00176卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)19A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.8 毫欧 @ 19A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)65 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2500 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)