您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > AO4264E

AO4264E 发布时间 时间:2025/5/8 20:11:34 查看 阅读:8

AO4264E是Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效能功率转换应用,例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等场景。
  AO4264E的封装形式为SOT-23-3L,这种小型化封装使得其非常适合空间受限的设计环境。此外,由于其低导通电阻和优化的开关性能,能够显著降低系统功耗并提升整体效率。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻:15mΩ
  栅极电荷:7nC
  总电容:380pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

AO4264E具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为15mΩ,有助于减少传导损耗。
  2. 快速开关能力,栅极电荷较小(Qg=7nC),可以有效降低开关损耗。
  3. 小型SOT-23-3L封装设计,适合紧凑型电路板布局。
  4. 高度稳定的电气性能,能够在宽广的工作温度范围内保持一致性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅工艺制造。
  6. 可靠性高,通过了严格的测试流程以确保长期使用中的稳定性。

应用

AO4264E广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑中的负载开关和电源管理模块。
  2. 笔记本电脑及便携式设备中的电池保护电路。
  3. DC-DC转换器中的同步整流或初级开关元件。
  4. 电机驱动中的桥式电路或PWM控制部分。
  5. 各种消费类电子产品中的保护与切换功能。
  6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。

替代型号

AO4264

AO4264E推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

AO4264E参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥2.54180卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.8 毫欧 @ 13.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1100 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SO
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)