AO4264E是Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效能功率转换应用,例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等场景。
AO4264E的封装形式为SOT-23-3L,这种小型化封装使得其非常适合空间受限的设计环境。此外,由于其低导通电阻和优化的开关性能,能够显著降低系统功耗并提升整体效率。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:2.9A
导通电阻:15mΩ
栅极电荷:7nC
总电容:380pF
工作温度范围:-55℃ to 150℃
AO4264E具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为15mΩ,有助于减少传导损耗。
2. 快速开关能力,栅极电荷较小(Qg=7nC),可以有效降低开关损耗。
3. 小型SOT-23-3L封装设计,适合紧凑型电路板布局。
4. 高度稳定的电气性能,能够在宽广的工作温度范围内保持一致性。
5. 符合RoHS标准,环保无铅工艺制造。
6. 可靠性高,通过了严格的测试流程以确保长期使用中的稳定性。
AO4264E广泛应用于以下领域:
1. 手机和平板电脑中的负载开关和电源管理模块。
2. 笔记本电脑及便携式设备中的电池保护电路。
3. DC-DC转换器中的同步整流或初级开关元件。
4. 电机驱动中的桥式电路或PWM控制部分。
5. 各种消费类电子产品中的保护与切换功能。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
AO4264