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AO3481 发布时间 时间:2025/8/2 7:55:35 查看 阅读:29

AO3481是一款由Alpha and Omega Semiconductor制造的P沟道增强型MOSFET,适用于多种高效率电源管理应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术,提供了较低的导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,从而降低了导通损耗和开关损耗。AO3481通常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路等场景。

参数

类型:P沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):4.1A
  导通电阻(Rds(on)):58mΩ(典型值,Vgs = -10V)
  导通电阻(Rds(on)):82mΩ(典型值,Vgs = -4.5V)
  输入电容(Ciss):210pF(典型值)
  开关时间(Ton/Toff):9ns/6ns(典型值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-23
  功率耗散(Pd):1.4W

特性

AO3481采用了先进的Trench沟槽技术,使得导通电阻更低,从而在高电流条件下减少了导通损耗。其P沟道结构使其在高端开关应用中非常有效,特别适合用于同步整流和负载开关等场景。此外,该器件的栅极驱动电压兼容于常见的3.3V和5V逻辑电平,因此可以直接与微控制器或其他数字电路连接而无需额外的电平转换器。AO3481的封装为SOT-23,体积小巧,适用于空间受限的电路设计。
  在开关性能方面,AO3481表现出较低的开关延迟和上升/下降时间,这使得它在高频开关应用中具有优势,有助于提高电源转换效率并减少热量产生。其内部结构优化了热阻,增强了器件在高负载条件下的热稳定性。此外,AO3481具备良好的抗雪崩能力,能够在短时过载或瞬态条件下保持稳定运行。

应用

AO3481广泛应用于各种电源管理领域,包括但不限于同步整流器、DC-DC降压和升压转换器、电池充电电路、负载开关和电机控制模块。由于其低导通电阻和良好的开关性能,该器件也适用于高效率电源供应器和便携式电子设备中的电源管理部分。在工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中,AO3481常常被用作功率开关,以实现对负载的高效控制。

替代型号

Si4435BDY, FDN340P, AO4481

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AO3481参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)50 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)645 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳3-SMD,SOT-23-3 变式