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AO3452 发布时间 时间:2025/8/2 6:55:56 查看 阅读:40

AO3452是一款由Alpha & Omega Semiconductor(简称AOS)制造的N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理、开关电路、负载开关和马达控制等场景。该器件采用先进的Trench沟槽技术,具备低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和良好的热稳定性。AO3452通常采用SOT-23或SOT-223封装形式,适合在空间受限的电路中使用。由于其高效率和可靠性,AO3452被广泛用于消费类电子产品、工业控制系统、汽车电子以及便携式设备中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):4.2A @ TA=25℃
  导通电阻(Rds(on)):32mΩ @ VGS=10V
  导通电阻(Rds(on)):40mΩ @ VGS=4.5V
  栅极电荷(Qg):8.5nC @ VGS=10V
  功率耗散(PD):1.4W
  工作温度范围:-55℃ ~ 150℃
  封装类型:SOT-23

特性

AO3452的主要特性之一是其极低的导通电阻,这使得在导通状态下功率损耗显著降低,提高了整体系统效率。此外,该MOSFET具有较高的电流处理能力,能够在4.2A的连续漏极电流下稳定工作,适用于中高功率应用。AO3452采用先进的Trench沟槽结构,提高了器件的导电性能和热稳定性。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持在4.5V至10V之间工作,适用于多种控制电路。同时,其栅极电荷较低,有助于提高开关速度,减少开关损耗,从而进一步提升效率。AO3452的封装形式(如SOT-23)非常小巧,适合在空间受限的PCB设计中使用,广泛应用于便携式电子设备和嵌入式系统。
  AO3452还具有良好的热性能,能够在高温环境下保持稳定运行。其最大工作温度可达150℃,确保在高负载条件下仍能安全工作。此外,该MOSFET具备较强的抗静电能力,增强了在实际应用中的可靠性和耐用性。

应用

AO3452适用于多种电子系统和设备,尤其在需要高效能、低功耗和紧凑封装的场合表现出色。常见的应用包括电源管理系统中的负载开关、DC-DC转换器、电池供电设备中的开关电路、电机驱动控制、LED照明调光系统以及各类工业自动化控制系统。
  在消费类电子产品中,AO3452常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和智能穿戴设备中的电源管理模块。由于其低导通电阻和小封装特性,能够有效减少能量损耗并节省PCB空间。此外,在汽车电子系统中,如车载充电器、车灯控制系统和车载娱乐设备中,AO3452也发挥着重要作用。
  在工业领域,AO3452可用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器模块、继电器驱动电路和自动化设备中的功率开关。其高可靠性和耐高温特性使其在恶劣环境下也能稳定运行。

替代型号

SI2302DS, FDN340P, 2N7002K, BSS138

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AO3452参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)52 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)235 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳3-SMD,SOT-23-3 变式