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AO3442 发布时间 时间:2025/5/8 16:19:27 查看 阅读:3

AO3442是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Alpha and Omega Semiconductor(万代半导体)生产。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种功率转换应用。AO3442通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等场景,能够提供高效的功率管理和可靠的性能。
  AO3442采用小尺寸的DFN5x6封装形式,有助于减少电路板空间占用,同时保持良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻:18mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:3.7nC(典型值)
  开关速度:快速开关
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

AO3442具有以下显著特点:
  1. 超低导通电阻,可降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 小型化封装(DFN5x6),节省PCB空间。
  3. 快速开关能力,适合高频应用。
  4. 高可靠性设计,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
  5. 较低的栅极电荷和输出电容,减少了驱动损耗。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅。

应用

AO3442广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 手机和平板电脑中的负载开关。
  3. USB充电端口保护和切换。
  4. 电机驱动和小型风扇控制。
  5. 各种便携式电子设备的电源管理模块。
  6. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流功能。
  由于其高效率和紧凑的外形,AO3442非常适合对空间和能耗敏感的设计。

替代型号

AO3400
  AO3425
  IRLML6401

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AO3442参数

  • 现有数量473,546现货
  • 价格1 : ¥3.18000剪切带(CT)3,000 : ¥0.89527卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)630 毫欧 @ 1A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)100 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳3-SMD,SOT-23-3 变式