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AO3438 发布时间 时间:2025/8/2 8:19:36 查看 阅读:28

AO3438是一款由Alpha and Omega Semiconductor制造的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和负载开关等电路中。该器件采用先进的Trench沟槽技术,提供出色的导通电阻和开关性能,适用于高效能和高频率操作的场合。AO3438封装为SOT-23,具有较小的封装体积,非常适合空间受限的设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):20V
  连续漏极电流(ID):6A
  导通电阻(RDS(ON)):55mΩ @ VGS=10V;75mΩ @ VGS=4.5V
  功率耗散(PD):1.4W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装:SOT-23

特性

AO3438 MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术,提供了极低的导通电阻(RDS(ON)),从而降低了导通损耗,提高了能效。该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于实现快速开关,减少开关损耗,因此非常适合用于高频开关应用。
  AO3438具有较高的电流处理能力,在6A连续漏极电流下仍能保持稳定的工作性能,适用于中高功率应用。同时,其SOT-23封装提供了良好的热管理和较小的PCB占用空间,便于在紧凑型设计中使用。
  此外,AO3438具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内(-55°C至150°C)正常工作,适用于各种工业和消费类电子产品。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平,支持4.5V以上的驱动电压,使得其能够与多种控制器或驱动电路配合使用。

应用

AO3438 MOSFET常用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池供电设备以及各类开关电源应用中。由于其高效率和小尺寸封装,特别适合用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的功率控制电路。
  在DC-DC转换器中,AO3438可以用作同步整流器或主开关,提高转换效率并减少热量产生。在电池管理系统中,它可以作为高侧或低侧开关,实现对电池充放电的精确控制。
  此外,AO3438也适用于需要高效能和快速开关特性的工业控制系统,如PLC(可编程逻辑控制器)、智能电表和传感器模块等。由于其良好的热稳定性和可靠性,该器件也适用于汽车电子系统中的功率管理应用。

替代型号

Si2302DS, BSS138, 2N7002, FDS6675, AO3400

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AO3438参数

  • 标准包装6,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C62 毫欧 @ 3A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds320pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)