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AO3435 发布时间 时间:2025/8/2 8:26:41 查看 阅读:40

AO3435是一款P沟道增强型功率MOSFET,由Alpha and Omega Semiconductor公司生产。这款MOSFET以其高性能、低导通电阻和小封装尺寸而闻名,适用于各种高效率电源管理和负载开关应用。AO3435采用先进的TrenchFET技术,提供优异的导通特性和热性能,同时在小型封装中实现了高功率密度。

参数

类型:P沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):30V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):4.2A(在Vgs=10V时)
  最大功耗(Pd):1.4W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-23
  导通电阻(Rds(on)):约95mΩ(在Vgs=10V时)

特性

低导通电阻:AO3435采用先进的TrenchFET技术,使其在低电压下具有非常低的导通电阻,从而减少了导通损耗并提高了系统效率。
  高效能:由于其低Rds(on)和快速开关特性,AO3435非常适合用于需要高效能和低功耗的应用场景。
  小型封装:该器件采用SOT-23封装,体积小巧,适合空间受限的设计,同时具有良好的散热性能。
  高可靠性:AO3435具有良好的热稳定性和耐久性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于工业级和消费级应用。
  广泛的工作电压范围:其栅极驱动电压范围宽广,允许在多种电源条件下使用,增加了设计的灵活性。
  过载和短路保护能力:AO3435能够在短时间内承受较大的电流冲击,具备一定的过载和短路保护能力,提高了系统的安全性和稳定性。

应用

负载开关:AO3435常用于各种便携式设备中的负载开关控制,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,实现对不同功能模块的电源管理。
  电源管理:该器件适用于DC-DC转换器、电池充电电路和电源分配系统,用于提高电源转换效率和降低功耗。
  电机驱动:AO3435可用于小型电机驱动电路,控制电机的启停和方向。
  LED驱动:在LED照明应用中,AO3435可以作为开关元件,实现对LED灯组的高效控制。
  工业自动化:该MOSFET在工业自动化设备中用于控制各种执行机构和传感器的电源供应。
  汽车电子:AO3435也可用于汽车电子系统,如车载娱乐系统、车灯控制模块等。

替代型号

Si2302DS, FDN340P, IRML2502

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AO3435参数

  • 标准包装6,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 3.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds745pF @ 10V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)