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AO3421 发布时间 时间:2025/4/25 15:10:37 查看 阅读:6

AO3421是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Alpha and Omega Semiconductor公司生产。这种晶体管主要用于开关和负载驱动应用,具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点,广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
  AO3421采用SOT-23封装形式,体积小巧,适合在空间受限的设计中使用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.9A
  导通电阻:65mΩ
  栅极电荷:3.8nC
  开关速度:快
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

AO3421的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了器件在开关状态下的功率损耗最小化,从而提高整体系统效率。
  2. 快速的开关速度使其适用于高频应用场合,例如DC-DC转换器和PWM控制器。
  3. SOT-23的小型封装便于在PCB板上布局,同时降低了寄生电感的影响。
  4. 高雪崩能量能力增强了器件的耐用性和可靠性。
  5. 工作温度范围宽广,适应各种环境条件下的应用需求。

应用

AO3421适用于多种电子电路设计场景,主要应用领域如下:
  1. 开关电源(流。
  2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
  3. 消费类电子产品中的负载切换。
  4. 电池管理系统的保护电路。
  5. 各种电机驱动和信号调节电路。
  由于其高效的性能和小型化的封装,AO3421成为众多便携式设备的理想选择。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  FDS6670A

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AO3421参数

  • 标准包装6,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C110 毫欧 @ 2.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds240pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)