AO3419A是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)公司生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电源管理应用。
AO3419A主要设计用于高效能的DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及便携式电子设备中的电源管理场景。其小型化的封装形式使其非常适合空间受限的设计。
型号:AO3419A
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源电压):30V
Rds(on)(导通电阻):5.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):28A
Vgs(th)(栅极阈值电压):1.7V(最大值)
封装:DFN5x6
工作温度范围:-55°C 至 150°C
Qg(总栅极电荷):8nC
Eoss(输出电容能量损失):15nJ
AO3419A以其高性能和紧凑型封装为特点:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高开关速度得益于较低的栅极电荷Qg,使它适合高频开关应用。
3. 热增强型DFN5x6封装提供出色的散热能力,并支持表面贴装技术(SMT),简化生产流程。温度范围确保在极端环境下也能可靠运行。
5. 小尺寸设计使得AO3419A成为移动设备和消费类电子产品中理想的功率开关解决方案。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
AO3419A广泛应用于以下领域:
1. DC-DC转换器中的同步整流功能。
2. 负载开关,用于快速开启或关闭负载。
3. 电池保护电路,防止过充或过放。
4. 电机驱动器,控制小型直流电机的启动与停止。
5. 消费类电子产品的电源管理系统,例如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。
6. 多种工业自动化设备中的信号切换和功率调节。
AO3419
AON3419
Si3420ADV
FDMC8810