AO3418L是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。它采用超小型DFN2020-6封装,具有低导通电阻和快速开关性能,适合用于便携式设备中的负载开关、DC-DC转换器以及电池管理等应用。
该器件能够在宽电压范围内工作,同时保持较低的功耗和较高的效率,是现代电源管理系统中的理想选择。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:9mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
栅极电荷:1.7nC(典型值)
输入电容:72pF(典型值)
工作温度范围:-55℃至150℃
封装类型:DFN2020-6
AO3418L具备非常低的导通电阻,可有效减少功率损耗并提高系统效率。
其小尺寸封装使其非常适合空间受限的设计场景。
此外,该器件具有出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的性能。
快速开关能力减少了开关损耗,并有助于降低EMI干扰。
由于采用了无铅设计,AO3418L符合RoHS标准,满足环保要求。
AO3418L广泛应用于各种便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备等的电源管理模块。
在DC-DC转换器中用作同步整流开关或高端开关。
适用于负载开关场景,能够实现快速开启和关闭功能,同时保护电路免受过流或短路的影响。
也可用于电池保护电路,防止过度放电或充电过程中出现异常情况。
AO3400A
AO3414
Si2302DS
FDP120N03L