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AO3418L 发布时间 时间:2025/5/10 8:50:06 查看 阅读:10

AO3418L是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。它采用超小型DFN2020-6封装,具有低导通电阻和快速开关性能,适合用于便携式设备中的负载开关、DC-DC转换器以及电池管理等应用。
  该器件能够在宽电压范围内工作,同时保持较低的功耗和较高的效率,是现代电源管理系统中的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:3.5A
  导通电阻:9mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:1.7nC(典型值)
  输入电容:72pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:DFN2020-6

特性

AO3418L具备非常低的导通电阻,可有效减少功率损耗并提高系统效率。
  其小尺寸封装使其非常适合空间受限的设计场景。
  此外,该器件具有出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的性能。
  快速开关能力减少了开关损耗,并有助于降低EMI干扰。
  由于采用了无铅设计,AO3418L符合RoHS标准,满足环保要求。

应用

AO3418L广泛应用于各种便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备等的电源管理模块。
  在DC-DC转换器中用作同步整流开关或高端开关。
  适用于负载开关场景,能够实现快速开启和关闭功能,同时保护电路免受过流或短路的影响。
  也可用于电池保护电路,防止过度放电或充电过程中出现异常情况。

替代型号

AO3400A
  AO3414
  Si2302DS
  FDP120N03L

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AO3418L参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)60 毫欧 @ 3.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)3.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)270 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳3-SMD,SOT-23-3 变式