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AO3416L 发布时间 时间:2025/5/8 0:17:14 查看 阅读:11

AO3416L 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor (AOS) 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于要求高效能和小尺寸的应用场景。
  AO3416L 的封装形式为 SOT-23-3,使其非常适合空间受限的设计。由于其出色的电气性能和可靠性,这款 MOSFET 广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻:180mΩ(典型值)
  栅极电荷:1.5nC(典型值)
  总功耗:390mW
  工作结温范围:-55℃ 至 150℃

特性

AO3416L 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻使得功率损耗减少,从而提高整体系统效率。
  2. 小巧的 SOT-23-3 封装节省 PCB 面积,特别适用于便携式设备。
  3. 高速开关能力使其在高频应用中表现出色,例如 DC/DC 转换器。
  4. 栅极阈值电压较低,便于与低压逻辑电路配合使用。
  5. 热稳定性好,能够在较宽的温度范围内可靠运行。

应用

AO3416L 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流或负载开关。
  2. DC/DC 转换器中的功率开关元件。
  3. 电池保护电路,如锂电池保护模块。
  4. 手机、平板电脑及其他便携式设备中的负载开关。
  5. LED 驱动电路中的功率控制元件。
  6. 各种消费类电子产品中的信号切换和功率管理部分。

替代型号

AO3400A, AO3401A, FDN340P

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AO3416L参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单路
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 6.5A, 4.5V
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.5A
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 4.5V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)1160pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称785-1011-2 AO3416