AO3416L 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor (AOS) 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于要求高效能和小尺寸的应用场景。
AO3416L 的封装形式为 SOT-23-3,使其非常适合空间受限的设计。由于其出色的电气性能和可靠性,这款 MOSFET 广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:1.8A
导通电阻:180mΩ(典型值)
栅极电荷:1.5nC(典型值)
总功耗:390mW
工作结温范围:-55℃ 至 150℃
AO3416L 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻使得功率损耗减少,从而提高整体系统效率。
2. 小巧的 SOT-23-3 封装节省 PCB 面积,特别适用于便携式设备。
3. 高速开关能力使其在高频应用中表现出色,例如 DC/DC 转换器。
4. 栅极阈值电压较低,便于与低压逻辑电路配合使用。
5. 热稳定性好,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
AO3416L 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流或负载开关。
2. DC/DC 转换器中的功率开关元件。
3. 电池保护电路,如锂电池保护模块。
4. 手机、平板电脑及其他便携式设备中的负载开关。
5. LED 驱动电路中的功率控制元件。
6. 各种消费类电子产品中的信号切换和功率管理部分。
AO3400A, AO3401A, FDN340P