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AO3416A 发布时间 时间:2025/5/9 9:00:15 查看 阅读:8

AO3416A是一种N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种开关和电源管理电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性等特性,适用于消费电子、工业设备及通信系统中的功率转换和负载切换。
  AO3416A采用小型化的SOT-23封装形式,使得它非常适合于对空间要求严格的便携式应用场合。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:2.9A
  导通电阻:55mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:470mW
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

AO3416A具备以下几个显著特点:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),能够减少传导损耗,提升效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用环境。
  3. 小巧的SOT-23封装设计,节省PCB布局面积。
  4. 高雪崩能量能力,提高了器件在异常条件下的鲁棒性。
  5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

AO3416A主要应用于以下领域:
  1. 开关电源中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 消费类电子产品如手机充电器、适配器等中的功率控制元件。
  5. 各种工业控制和汽车电子中的信号处理与驱动电路。

替代型号

AO3416

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AO3416A参数

  • 现有数量2,990现货
  • 价格1 : ¥3.97000剪切带(CT)3,000 : ¥0.73367卷带(TR)
  • 系列UMW
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)25 毫欧 @ 6.5A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1650 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3