时间：2025/4/27 18:26:11
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AO3415AI-MS 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor (AOS) 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于消费电子、工业控制以及通信设备中的负载开关、DC-DC转换器和电池管理等应用。其封装形式为小型化的 MicroFET? MSOP-8L 封装，有助于节省 PCB 空间并提高系统集成度。
AO3415AI-MS 的设计使其能够在宽电压范围内高效运行，同时具备出色的热性能，可满足高功率密度应用的需求。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：17A
导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ (典型值，在 VGS=10V 条件下)
栅极电荷(Qg)：26nC (典型值)
总功耗(PD)：29W (在 TA=25°C 下)
工作温度范围(TJ)：-55°C 至 +150°C
封装：MicroFET? MSOP-8L
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，可以有效降低传导损耗，提高效率。
2. 快速开关能力，适用于高频开关应用。
3. 高电流承载能力，支持大功率应用场景。
4. 良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定性能。
5. 微型化封装设计，便于电路板空间优化。
6. 宽工作电压范围，适应多种电源系统需求。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于使用现代无铅焊接工艺组装。
8. 内置 ESD 保护功能，提升产品可靠性。
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 笔记本电脑及外围设备的电源管理。
3. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
4. DC-DC转换器的高端或低端开关。
5. 电机驱动和电池保护电路。
6. 工业自动化和通信设备中的信号切换。
7. 多种便携式电子产品中的高效功率转换解决方案。
AO3400A, FDP5802, IRLR7843
