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AO3404 发布时间 时间:2025/5/10 17:31:26 查看 阅读:8

AO3404是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、开关电路和负载驱动等场景。其小尺寸和低导通电阻使其成为便携式设备和空间受限设计的理想选择。
  AO3404采用SOT-23封装,具备出色的开关性能和较低的功耗特性,适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池保护以及信号切换等应用。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  持续漏极电流:1.1A
  导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(在Vgs=4.5V时)
  总功耗:380mW
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

AO3404具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 小型SOT-23封装,节省PCB空间。
  3. 快速开关速度,适用于高频应用。
  4. 较宽的工作温度范围,确保在各种环境下的稳定性。
  5. 高静电防护能力,提升器件可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

AO3404可应用于多种电子电路中,包括但不限于以下场景:
  1. 手机和平板电脑中的负载开关。
  2. 电池供电设备中的电源管理。
  3. DC-DC转换器中的同步整流开关。
  4. LED驱动电路。
  5. 信号切换与隔离。
  6. 电机驱动及小型继电器替代方案。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  FDS6670A
  SI2302DS

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AO3404参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)31 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)6.3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)310 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳3-SMD,SOT-23-3 变式