类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.8A（@25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：1.4W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

AO3400 MOSFET 具备多项优良特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率，这对于需要高效率的电源转换器和负载开关应用尤为重要。其次，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了电流处理能力和热稳定性。
　　此外，AO3400 具有良好的热保护性能，在高负载条件下仍能保持稳定运行，减少过热损坏的风险。其 ±20V 的栅极电压耐受能力增强了在复杂电磁环境中工作的可靠性，适用于各种工业和消费类电子设备。
　　该器件的 TO-252（DPAK）封装形式便于安装和散热管理，适合表面贴装工艺（SMT），在自动化生产中具有良好的兼容性。同时，该封装也具备良好的热导出性能，有助于提高器件在高电流条件下的稳定性。

AO3400 主要应用于以下领域：1）电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器等；2）负载开关和电源开关电路，用于控制电机、LED灯、风扇等负载；3）电池供电设备中的功率开关，如笔记本电脑、平板电脑和便携式设备；4）工业自动化控制系统中的驱动电路和继电器替代方案；5）汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和车身控制模块等。
　　由于其高效率、低导通电阻和良好的热性能，AO3400 在开关电源、马达驱动器、负载开关等中低功率应用中具有广泛的应用前景。

Si2302DS, IRF7404, FDS6675, IPD9N03C4, AO3401