时间：2025/9/15 21:30:15
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AMMP-6630-BLKG 是一款由 Analog Devices（亚德诺半导体）推出的 GaAs（砷化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）射频场效应晶体管（FET），主要用于高频、低噪声放大应用。该器件采用表面贴装封装技术，具有非常低的噪声系数、高增益以及良好的线性性能，适用于无线通信系统、测试设备和微波接收器等应用。BLKG 是其封装类型标识，通常表示为 6 引脚的 SMT 封装。
类型：GaAs HEMT FET
封装类型：SMT，6 引脚
工作频率范围：2.0 GHz 至 12.0 GHz
噪声系数：典型值为 0.45 dB（在 9 GHz）
增益：典型值为 18 dB（在 9 GHz）
输出功率：100 mA 漏极电流（Id）
工作电压：典型的漏极电压 Vds 为 3V 或 5V
输入/输出阻抗：50 Ω 匹配设计
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
AMMP-6630-BLKG 是一款专为高频、低噪声放大器应用而设计的高性能 GaAs HEMT FET。该器件在高达 12 GHz 的频率范围内提供了卓越的噪声性能，使其非常适合用于 L、S、C 和 X 波段的接收器前端放大器。其内部结构采用高电子迁移率晶体管技术，具有优异的跨导特性，能够在低电压（如 3V 或 5V）下高效工作，从而降低了系统的功耗需求。
此外，该器件具有良好的线性度和稳定性，在宽频带范围内保持高增益和低失真特性。其封装设计便于表面贴装组装，适合用于高密度 PCB 设计。BLKG 封装还具有良好的热稳定性和 RF 接地性能，有助于提升整体系统可靠性。
AMMP-6630-BLKG 还具备出色的温度稳定性，在 -40°C 至 +85°C 的宽温范围内能够保持稳定的电气性能，适合用于恶劣环境下的工业和通信设备。
AMMP-6630-BLKG 常用于高性能射频和微波接收器前端，如无线通信基站、卫星通信系统、雷达接收器、频谱分析仪和测试测量设备等。此外，它也适用于宽带放大器、毫米波通信链路以及需要低噪声、高增益的 RF 放大器模块。
HMC414, ATF-54143, MGA-63160
