AMMP-6333-TR1G 是一款由 Analog Devices(亚德诺半导体)生产的射频(RF)功率放大器模块,专为需要高线性度和高效率的无线通信应用而设计。该器件工作频率范围广泛,适用于蜂窝基站、无线基础设施和工业设备等应用场景。AMMP-6333-TR1G 采用先进的 GaN(氮化镓)技术,提供优异的功率密度和热性能,能够在高输出功率下保持稳定运行。
工作频率:2000 MHz 至 3800 MHz
输出功率:典型值为 40 dBm(10 W)
增益:典型值为 30 dB
效率(PAE):典型值为 40%
电源电压:+28 V
封装类型:表面贴装(SMT)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
AMMP-6333-TR1G 具备多项先进的性能特点,首先其采用了 GaN(氮化镓)半导体技术,这使得它在高频工作条件下依然能够维持高效率和高功率输出。与传统的 LDMOS 技术相比,GaN 提供了更高的功率密度和更优的热管理能力,从而延长器件的使用寿命并提高系统可靠性。
其次,AMMP-6333-TR1G 的宽频带设计使其能够覆盖 2000 MHz 至 3800 MHz 的频率范围,适用于多种无线通信标准,如 LTE、W-CDMA、CDMA2000 和 WiMAX 等。这种宽频带能力减少了设计中对多个功率放大器模块的需求,简化了系统架构并降低了成本。
此外,该功率放大器具有出色的线性度和稳定性,能够满足现代通信系统对高数据速率和低误码率的要求。其 30 dB 的典型增益确保了信号在经过放大后仍能保持良好的信噪比。同时,该器件在 28 V 电源电压下工作,提供了良好的功率附加效率(PAE),有效减少了功耗和散热需求。
AMMP-6333-TR1G 采用表面贴装封装(SMT),支持自动化生产流程,提高了制造效率和良品率。其工作温度范围从 -40°C 到 +85°C,适应各种恶劣环境条件下的运行。
AMMP-6333-TR1G 主要应用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、小型蜂窝(Small Cell)、分布式天线系统(DAS)以及工业和测试设备等。其宽频带和高功率输出特性使其非常适合用于多频段或多标准基站发射机的设计。在 LTE 和 5G 系统中,该功率放大器可以作为主功率放大器或驱动放大器,提供稳定的射频输出并确保通信质量。
此外,该器件还可用于宽带无线接入系统、WiMAX 基站、广播发射设备以及雷达和测试测量设备等需要高效、高线性度射频功率放大的场合。
AMMP-6433-TR1G, HMC8205BF1B, CGH40010F