AMMC-5040-W50 是一款由 Broadcom(原 Avago Technologies)生产的 GaAs(砷化镓)场效应晶体管(FET),主要用于射频和微波频率范围内的低噪声放大应用。这款器件采用了高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,具有卓越的噪声性能和增益表现。AMMC-5040-W50 采用表面贴装封装(SOT-343 或类似的封装形式),适用于无线通信、测试设备、军事雷达系统以及医疗成像设备等高频应用场景。
频率范围:10 MHz - 4 GHz
噪声系数:0.45 dB(典型值,@ 2 GHz)
增益:14 dB(典型值,@ 2 GHz)
输出功率:10 dBm(典型值,@ 1 dB 压缩点)
工作电压:3 V - 6 V
静态电流:40 mA(典型值)
输入/输出阻抗:50Ω
封装类型:SOT-343
AMMC-5040-W50 的核心优势在于其极低的噪声系数,使其成为低噪声放大器(LNA)应用的理想选择。该器件采用了 GaAs HEMT 技术,在宽频率范围内保持优异的性能稳定性。其噪声系数在 2 GHz 下仅为 0.45 dB,这在许多竞争产品中处于领先水平,确保信号在放大过程中受到最小的干扰。
此外,该 FET 的增益为 14 dB,在高频段(如 4 GHz)仍能保持良好的线性度和稳定性。输出功率在 1 dB 压缩点时达到 10 dBm,能够满足大多数中功率射频系统的需求。AMMC-5040-W50 的工作电压范围为 3 V 至 6 V,具有较高的设计灵活性,适合多种供电环境。典型静态电流为 40 mA,功耗较低,适用于电池供电设备或对功耗敏感的应用。
其封装形式为 SOT-343,尺寸小巧,便于集成到高密度 PCB 设计中。该封装还具备良好的热管理和射频性能,有助于在高频率下保持稳定的工作状态。
AMMC-5040-W50 主要用于需要低噪声、高增益和宽频率响应的射频前端电路。它广泛应用于无线通信系统(如 Wi-Fi、WiMAX 和蜂窝网络)、测试和测量仪器(如频谱分析仪和信号发生器)、雷达系统(尤其是军用雷达和航空电子设备)、以及医疗成像设备(如超声波和 MRI 系统)中的射频信号放大环节。
由于其在 10 MHz 至 4 GHz 的宽频率范围内具有稳定的性能,AMMC-5040-W50 也可用于多频段通信系统和软件定义无线电(SDR)设备。在这些应用中,该器件能够在不更换硬件的情况下支持多个通信标准,从而提高系统的灵活性和可扩展性。
在测试设备中,AMMC-5040-W50 可作为前置放大器使用,提高微弱信号的可测量性,同时最大限度地减少噪声引入。在雷达和航空电子系统中,其低噪声和高线性度特性可确保接收信号的准确性和稳定性,从而提升整体系统性能。
ATF-54143, MGA-63163, BFP420