型号：AMK105C6105MVEM
　　电容值：1.0μF
　　容差：±20%
　　额定电压：25V DC
　　介电材料：X7R
　　封装尺寸：0805（2012）
　　温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电容稳定性：ΔC/C ≤ ±15%（在-55°C至+125°C范围内）
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 R×C ≥ 500S（取较大值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　耐压能力：测试电压为额定电压的1.5倍（最大37.5V）持续1分钟
　　端子结构：Ni/Sn（镍/锡）三层电极
　　磁性：非磁性
　　安装方式：表面贴装（SMD）

AMK105C6105MVEM 采用先进的叠层陶瓷制造工艺，内部由数十至上百层交替排列的陶瓷介质与内电极构成，形成高体积效率的微型电容器件。其核心介电材料为X7R型铁电陶瓷，具备相对稳定的介电常数随温度变化的特性，在-55°C到+125°C的工作温度区间内，电容值的变化幅度控制在±15%以内，远优于Z5U或Y5V等低稳定性材料，因此特别适合用于对电容稳定性有一定要求但又无需使用COG/NPO这类超高精度材料的应用场景。
　　该器件的直流偏压特性表现良好，在施加接近额定电压的直流偏置时仍能保持较高比例的原始电容值。例如，在25V偏压下，典型电容保持率可达60%-70%，这对于1μF容量级别的X7R MLCC而言属于较优水平。这一特性使其在电源轨旁路和滤波应用中能够持续提供有效的去耦能力，减少因电压波动导致的系统不稳定问题。
　　机械方面，AMK105C6105MVEM 具备较强的抗弯曲和热冲击能力，得益于优化的端头结构设计和陶瓷体应力分布控制技术，能够在PCB弯折或热循环过程中有效防止裂纹产生。此外，其三层电极结构（Inner Electrode - Barrier Layer - Outer Electrode）采用铜内电极配合镍阻挡层和锡外镀层，不仅提升了可焊性，还增强了长期环境耐久性，避免了银迁移等问题。
　　在高频性能方面，该MLCC具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），可在数十MHz频段内提供优良的噪声抑制能力，适用于高速数字电路中的局部能量存储和瞬态电流补偿。同时，该器件通过AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，适用于汽车电子等对元器件寿命和稳定性要求较高的领域。整体来看，AMK105C6105MVEM 是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的工业级陶瓷电容解决方案。

AMK105C6105MVEM 广泛应用于各类需要稳定电容值且空间紧凑的电子系统中。一个典型用途是在电源管理系统中作为输入或输出滤波电容，特别是在DC-DC转换器、LDO稳压器周围，用于平滑电压波动、抑制开关噪声并提高电源响应速度。由于其1.0μF的电容值和25V额定电压适配多数中低压电源轨（如3.3V、5V、12V），因此在服务器主板、嵌入式控制器和FPGA供电网络中常见其身影。
　　在模拟电路中，该器件可用于信号路径的耦合与去耦，例如运放输入/输出端的交流耦合电容，或者ADC/DAC参考电压引脚的旁路处理。虽然X7R材料存在一定的电压非线性效应，但在小信号条件下影响较小，配合合理布局仍可满足大多数通用模拟应用需求。
　　通信设备也是其重要应用领域之一，包括路由器、交换机、基站模块等，在这些系统中，AMK105C6105MVEM 常被用作高频线路的旁路电容，以降低电磁干扰（EMI）并提升信号完整性。此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和平板电视中，该器件用于处理器核心供电的去耦网络，帮助应对动态负载变化带来的电压跌落问题。
　　工业自动化设备、医疗仪器以及汽车电子控制单元（ECU）同样依赖此类高性能MLCC。尤其是在车载信息娱乐系统或ADAS传感器模块中，AMK105C6105MVEM 凭借其宽温特性和高可靠性，能够在恶劣环境下长期稳定运行。最后，在便携式设备中，由于其小型化封装（0805）有利于节省PCB空间，同时又能提供足够的电荷存储能力，因此也常用于电池管理电路和无线充电模块中。

GRM21BR71E105KA88L
　　CL21A105KOAFNE
　　RC0805FR-071ML