AMK105BJ475MV-F 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及DC-DC转换等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率并降低能耗。
其封装形式为TO-263(D2PAK),具有良好的散热性能,适合高功率密度的设计需求。
最大漏源电压:80V
连续漏极电流:52A
导通电阻:4.7mΩ
栅极电荷:98nC
反向恢复时间:15ns
工作结温范围:-55℃ 至 175℃
AMK105BJ475MV-F 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提升整体效率。
2. 快速的开关速度,可降低开关损耗,适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 内置二极管具备快速恢复特性,进一步优化了动态性能。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
该芯片广泛适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电动工具及家用电器中的无刷直流电机(BLDC)驱动电路。
3. 新能源领域中的光伏逆变器和储能系统。
4. 工业自动化设备中的高效DC-DC转换模块。
5. 汽车电子领域的辅助电源管理系统。
由于其出色的电气性能和可靠性,AMK105BJ475MV-F 成为了许多高功率应用的理想选择。
AMK105BJ475MV-G, IRFB4710PBF, FDP157N10AE