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AMK105BJ475MV-F 发布时间 时间:2025/5/30 21:59:30 查看 阅读:6

AMK105BJ475MV-F 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及DC-DC转换等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率并降低能耗。
  其封装形式为TO-263(D2PAK),具有良好的散热性能,适合高功率密度的设计需求。

参数

最大漏源电压:80V
  连续漏极电流:52A
  导通电阻:4.7mΩ
  栅极电荷:98nC
  反向恢复时间:15ns
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃

特性

AMK105BJ475MV-F 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提升整体效率。
  2. 快速的开关速度,可降低开关损耗,适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 内置二极管具备快速恢复特性,进一步优化了动态性能。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片广泛适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电动工具及家用电器中的无刷直流电机(BLDC)驱动电路。
  3. 新能源领域中的光伏逆变器和储能系统。
  4. 工业自动化设备中的高效DC-DC转换模块。
  5. 汽车电子领域的辅助电源管理系统。
  由于其出色的电气性能和可靠性,AMK105BJ475MV-F 成为了许多高功率应用的理想选择。

替代型号

AMK105BJ475MV-G, IRFB4710PBF, FDP157N10AE

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AMK105BJ475MV-F参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 电容4.7µF
  • 电压 - 额定4V
  • 容差±20%
  • 温度系数X5R
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 85°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称587-1966-6