AMC60804T 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电流开关应用。这款MOSFET采用先进的技术,能够在低电压下提供高效率和高性能,适用于多种电子设备和电源管理系统。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):60V
漏极电流(Id):80A(最大值)
导通电阻(Rds(on)):在Vgs=10V时为4.7mΩ
栅极电压(Vgs):最大±20V
封装类型:TO-263(D2Pak)
工作温度范围:-55°C至175°C
AMC60804T 功率MOSFET具备极低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。该器件的高电流容量和低导通电阻使其非常适合用于电源转换器、电动机控制和电池管理系统等应用。此外,它具有出色的热性能,能够有效散热,从而确保在高负载条件下的稳定性。
这款MOSFET采用TO-263封装,便于在印刷电路板(PCB)上安装和焊接,同时提供了良好的机械强度和电气连接。AMC60804T还具有高雪崩耐受能力和良好的短路稳定性,能够在极端条件下可靠工作。
其栅极驱动电压范围宽,支持从4.5V到20V的栅极电压,适用于多种栅极驱动电路设计。这种灵活性使得它可以在不同的电源系统中使用,而不需要额外的栅极驱动器电路。此外,AMC60804T的快速开关特性有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。
AMC60804T 主要用于需要高电流和低导通电阻的应用,例如DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器、负载开关、电源管理系统以及汽车电子系统。在汽车应用中,它可用于电动助力转向系统、起停系统和车载充电器等部件。
STP80NF60T, IRF1404, FDP80N60T