型号：AM99C10A
　　制造商：AMD
　　存储容量：4K × 1 Bit
　　组织结构：4096 words × 1 bit
　　电源电压：5V ±10%
　　工作电流：典型值 20mA（运行模式），待机电流小于 2mA
　　访问时间：典型值 55ns / 70ns / 100ns（根据版本不同）
　　封装类型：16-pin DIP, SOIC
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　输入电平：TTL 兼容
　　输出驱动能力：标准 CMOS/TTL 接口
　　读写控制信号：OE#（输出使能）、WE#（写使能）、CE#（片选，低电平有效）

AM99C10A采用先进的CMOS工艺制造，在当时显著降低了静态功耗，使其非常适合于便携式设备或长时间运行的工业控制应用。其核心特性之一是具备低功耗待机模式，当片选信号CE#为高电平时，芯片进入低功耗状态，显著减少系统整体能耗。这种特性使得它在电池供电或节能要求较高的系统中表现出色。
　　该器件支持三态输出，允许多个存储芯片共享同一数据总线，从而简化了系统的总线架构设计。通过OE#（输出使能）信号，用户可以精确控制数据输出的时机，避免总线冲突。此外，其高速访问时间（最快可达55ns）确保了与同期微处理器的良好匹配性能，满足实时数据存取的需求。
　　AM99C10A的设计注重可靠性与稳定性，内置噪声抑制和抗干扰机制，能够在复杂电磁环境中稳定运行。其TTL电平兼容性极大地方便了与当时主流逻辑电路（如74系列TTL芯片）和微处理器（如Z80、8085等）的直接连接，无需额外的电平转换电路。
　　由于其4K×1位的结构，该芯片常被用于构建小型缓存、状态寄存器、标志位存储或作为PLD/FPGA的外部辅助存储。虽然单颗芯片的数据宽度有限，但通过并行堆叠多片，可灵活构建所需位宽的存储阵列，提升了系统设计的可扩展性。
　　值得注意的是，AM99C10A不包含内部刷新电路或地址多路复用功能，属于静态RAM，因此无需动态刷新操作，简化了控制逻辑，提高了系统稳定性。这一点与DRAM形成鲜明对比，尤其适用于小规模、高可靠性的嵌入式系统。

AM99C10A主要用于早期的微型计算机系统中的高速缓存或临时数据存储单元，尤其是在需要低功耗和高稳定性的场景下表现优异。它常见于工业自动化控制系统中，用于保存实时采集的状态信息、I/O标志位或中间计算结果。由于其静态特性和非易失性读写能力（在供电条件下），该芯片也广泛应用于通信设备中，如调制解调器、交换机和网络接口卡，用于帧缓冲或协议处理过程中的位级操作。
　　在测试测量仪器领域，AM99C10A曾被用作数据暂存区，配合微控制器实现高速采样数据的临时存储。其快速访问时间和确定性响应延迟使其成为实时信号处理系统的理想选择。此外，在一些军事和航空航天电子系统中，由于对长期稳定性和供货周期有特殊要求，AM99C10A也曾作为关键元器件使用，特别是在那些设计冻结、不便于更换架构的老旧平台上。
　　教育和科研机构在数字逻辑教学实验中也常用此类SRAM芯片，帮助学生理解存储器组织、地址译码和总线时序等基本概念。尽管如今已被更先进的存储技术取代，但在复古计算项目（如复刻经典计算机）中，AM99C10A依然是还原原始硬件架构的重要组成部分。

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