型号：AM90N06-10P
　　制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：600V
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　连续漏极电流(ID)：9.0A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：36A
　　导通电阻(RDS(on))：0.185Ω @ VGS=10V, ID=4.5A
　　阈值电压(VGS(th))：3.0V ~ 5.0V
　　输入电容(Ciss)：1100pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间(trr)：38ns
　　最大功耗(PD)：150W @ 25°C
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

AM90N06-10P具备多项优异的电气与物理特性，使其成为高性能电源应用的理想选择。首先，其600V的高漏源击穿电压确保了在高压环境下的安全运行，尤其适用于通用输入范围（85~265V AC）的开关电源设计。其次，该MOSFET在VGS=10V时的典型导通电阻仅为0.185Ω，显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统效率并减少散热需求。低RDS(on)还意味着可以在相同电流条件下使用更小尺寸的散热装置，从而节省空间和成本。此外，器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为50nC，这使得它在高频开关应用中表现出色，能够有效减少驱动损耗并加快开关速度。
　　AM90N06-10P采用了优化的晶圆设计，具备良好的跨导（Transconductance）特性和稳定的阈值电压控制，确保在不同温度和负载条件下仍能保持一致的开关行为。其反向恢复电荷（Qrr）较小，配合快速的反向恢复时间（trr=38ns），可降低与体二极管相关的开关损耗，特别适合硬开关和准谐振拓扑结构。该器件还通过了严格的可靠性测试，包括高温栅极偏置（HTGB）、高温高压反向偏置（HTRB）和高温反向工作寿命（H3TRB）等，确保长期工作的稳定性。
　　在热性能方面，TO-220封装提供了良好的热传导路径，结到壳的热阻（RθJC）低至0.96°C/W，有利于热量从芯片传递到外部散热器。同时，器件支持宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），适应各种严苛的工业环境。内置的体二极管具有较强的电流承载能力和抗浪涌能力，进一步增强了系统的鲁棒性。总体而言，AM90N06-10P凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关响应和高可靠性，在现代高效能电源系统中扮演着关键角色。

AM90N06-10P主要应用于各类需要高电压、高效率开关性能的电力电子系统中。最常见的应用场景是AC-DC开关电源，特别是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振转换器中作为主开关管使用。其600V的耐压能力足以覆盖大多数通用输入电压范围下的峰值电压，确保系统在电网波动时仍能安全运行。此外，该器件也常用于功率因数校正（PFC）电路中，尤其是在临界导通模式（CRM）或连续导通模式（CCM）PFC升压拓扑中，利用其低导通电阻和快速开关特性来减少能量损耗，提高整体电源效率。
　　在工业电源领域，AM90N06-10P被广泛用于服务器电源、通信电源模块和工业控制设备的供电单元中，提供稳定可靠的直流输出。由于其具备良好的热稳定性和长期可靠性，也适用于不间断电源（UPS）、逆变器和太阳能微型逆变器等新能源设备。在消费类电子产品中，如大功率LED驱动电源、电视电源板和充电器中，该MOSFET同样发挥着重要作用，帮助实现小型化和高能效的设计目标。
　　此外，AM90N06-10P还可用于电机驱动电路，特别是小功率交流电机或直流无刷电机的控制模块中，作为高端或低端开关元件。其快速的开关响应能力有助于实现精确的PWM调制，提升电机控制精度。在电磁炉、感应加热等家用电器中，该器件也能胜任高频逆变任务。总之，凭借其高电压等级、优异的导通和开关性能，AM90N06-10P已成为多种中高功率电源拓扑中的主流选择之一。

AOTF9N60B
　　STP9NK60ZFP
　　FQP9N60C
　　KSE992
　　IXFH9N60