时间：2025/12/26 10:33:35
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AM4967RGSTR-G1是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）推出的高性能N沟道场效应晶体管（MOSFET），专为高效率电源转换和功率开关应用设计。该器件采用先进的TrenchFET技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，能够在高频率下工作，同时保持较低的导通损耗和开关损耗。AM4967RGSTR-G1封装在小型化的PowerSO-8（也称为SO-8L）表面贴装封装中，适合对空间要求严格的便携式电子设备和高密度PCB布局。该MOSFET广泛应用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电系统等场景。
该器件的额定电压为30V，适用于低电压电源管理领域，其出色的热性能和可靠的栅极氧化层设计确保了长期运行的稳定性与耐用性。此外，AM4967RGSTR-G1符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其高性价比和优异的电气特性，这款MOSFET在消费类电子、工业控制和通信设备中得到了广泛应用。
型号：AM4967RGSTR-G1
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：18A
脉冲漏极电流（IDM）：70A
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：4.5mΩ
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：6.0mΩ
栅极电荷（Qg）@10V：13nC
输入电容（Ciss）：920pF
开启延迟时间（td(on)）：7ns
关断延迟时间（td(off)）：18ns
反向恢复时间（trr）：18ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerSO-8 (SO-8L)
安装方式：表面贴装
符合RoHS：是
无卤素：是
AM4967RGSTR-G1采用AOS先进的TrenchFET工艺技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡，特别适合高频开关电源应用。其最大漏源电压为30V，能够在宽泛的工作条件下稳定运行，尤其适用于12V或24V系统中的低电压功率转换。在VGS=10V时，RDS(on)典型值仅为4.5mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。即使在较低的驱动电压如4.5V下，其RDS(on)仍可保持在6.0mΩ左右，确保在低压逻辑控制电路中也能实现高效导通，增强了与常见PWM控制器的兼容性。
该器件的栅极电荷（Qg）仅为13nC，意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，从而降低驱动IC的负担并减少动态损耗。低输入电容（Ciss=920pF）进一步提升了高频响应能力，使其非常适合用于高频率工作的同步降压变换器或半桥拓扑结构。反向恢复时间（trr=18ns）较短，配合体二极管的快速响应特性，有助于减少交叉导通期间的能量损耗，提升系统效率，尤其是在硬开关应用中表现突出。
PowerSO-8封装不仅提供了良好的散热性能，还具备较小的占板面积，便于实现紧凑型设计。内部结构优化减少了寄生电感和电阻，提升了器件的整体可靠性。器件的工作结温可达+150°C，支持严苛环境下的长期运行。此外，AM4967RGSTR-G1经过严格的质量测试，包括高温反偏（HTRB）、压力扩散测试（PSLT）等，确保产品在各种应用场景下的稳定性和一致性。这些特性共同使得该MOSFET成为高性能电源系统中的理想选择。
AM4967RGSTR-G1广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高效率和小尺寸解决方案的设计。典型应用包括同步整流型DC-DC降压转换器，在这类电路中，它作为下管MOSFET用于替代传统肖特基二极管，大幅降低导通压降和功耗，提高转换效率。在多相电压调节模块（VRM）中，多个AM4967RGSTR-G1并联使用可分担大电流负载，满足CPU或GPU供电需求。此外，该器件也常用于负载开关电路，控制电源路径的通断，防止浪涌电流影响系统稳定性。
在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，AM4967RGSTR-G1因其高效率和小封装优势被用于电池管理系统（BMS）和电源管理单元（PMU）。在电机驱动应用中，它可以作为H桥电路中的开关元件，控制直流电机或步进电机的方向与速度。通信设备中的背板电源、FPGA供电模块以及服务器电源系统也是其重要应用领域。得益于其出色的热性能和电气特性，该器件还可用于LED驱动电源、热插拔控制器以及各类工业控制系统中的功率切换场合。无论是在消费类还是工业级产品中，AM4967RGSTR-G1都能提供可靠且高效的功率控制解决方案。
AOT4967,AOZ4967E
