时间：2025/12/26 9:52:23
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AM4951RMMTR-G1是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生产的高性能、单通道N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、高频率开关电源应用设计，适用于需要低导通电阻和快速开关特性的场合。AM4951RMMTR-G1封装在紧凑的DFN3x3-8L（双扁平无引脚）封装中，具有优异的热性能和空间利用率，非常适合用于便携式电子设备、计算设备以及通信系统中的DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等应用场景。该MOSFET具备良好的栅极电荷特性与较低的输入/输出电容，有助于降低开关损耗并提升整体系统效率。同时，其符合RoHS环保要求，并通过了工业级可靠性测试，确保在各种工作环境下稳定运行。由于其优化的参数设计和封装技术，AM4951RMMTR-G1成为现代高密度电源管理解决方案中的理想选择之一。
型号：AM4951RMMTR-G1
制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大连续漏极电流(ID) @25°C：17A
最大脉冲漏极电流(IDM)：68A
最大栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on)) @ VGS=10V：4.7mΩ
导通电阻(RDS(on)) @ VGS=4.5V：6.3mΩ
导通电阻(RDS(on)) @ VGS=2.5V：9.5mΩ
阈值电压(Vth)典型值：1.5V
栅极电荷(Qg) @10V：11nC
输入电容(Ciss)：760pF
输出电容(Coss)：260pF
反向恢复时间(trr)：18ns
二极管正向电流(IS)：17A
功耗(PD)：2.5W
工作结温范围(TJ)：-55°C 至 +150°C
封装类型：DFN3x3-8L
AM4951RMMTR-G1采用先进的TrenchFET工艺技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，从而显著提升了电源系统的整体效率。其RDS(on)在VGS=10V时仅为4.7mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，能够有效减少传导损耗，特别适合大电流应用如同步整流和负载开关控制。此外，该器件在低栅极驱动电压下仍表现出良好的导通能力，例如在VGS=4.5V时RDS(on)为6.3mΩ，在VGS=2.5V时为9.5mΩ，支持现代低压逻辑控制IC直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。
该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=11nC）和输入电容（Ciss=760pF），这有助于减少驱动损耗并加快开关速度，适用于高频DC-DC变换器拓扑结构，如Buck、Boost及同步降压转换器。同时，其输出电容Coss仅为260pF，进一步降低了开关过程中的能量损失，提高了系统能效。器件内部体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=18ns），可有效抑制因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰问题，增强系统稳定性。
AM4951RMMTR-G1采用DFN3x3-8L封装，具有较小的占板面积（3mm×3mm）和优良的散热性能，底部带有裸露焊盘以提高热传导效率，确保在高功率密度条件下仍能维持较低的工作温度。该封装还减少了寄生电感，有利于提升高频下的开关表现。器件符合JEDEC标准的湿度敏感等级MSL3，需遵循相应的存储和回流焊工艺要求。此外，产品通过AEC-Q101可靠性认证的部分项目验证，适用于对可靠性和长期稳定性有较高要求的应用环境。
AM4951RMMTR-G1广泛应用于多种高效率、高密度电源管理系统中。典型用途包括同步整流型DC-DC降压（Buck）转换器，尤其是在服务器、笔记本电脑、平板电脑和嵌入式系统中的多相电压调节模块（VRM），其中低RDS(on)和快速开关特性有助于实现高效能量转换。它也常用于电池供电设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，凭借其低静态功耗和快速响应能力，可有效延长续航时间。此外，该器件适用于电机驱动电路，特别是小型直流电机或步进电机的H桥驱动拓扑，能够在有限空间内提供足够的电流驱动能力和热稳定性。在通信基础设施设备中，如路由器、交换机的板载电源系统，AM4951RMMTR-G1可用于中间总线转换器或POL（Point-of-Load）电源设计，满足严格的效率和散热要求。其他应用还包括LED驱动电路、热插拔控制器、USB PD电源路径管理和各类工业控制电源模块。得益于其小尺寸封装和高性能参数，该器件特别适合对空间敏感且追求高能效的现代电子产品设计。
AON6240,AOZ5242DI,AOZ5243N
