制造商：AMD (Spansion)
　　系列：Am29DL
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：16 Mbit
　　存储宽度：16位
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：65 ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：48-TSOP
　　接口类型：并行
　　编程电压：12V (Vpp) 或内部电荷泵生成
　　组织结构：按扇区/块划分，包含多个可独立擦除的区块
　　写周期寿命：典型值为10万次擦写
　　数据保持时间：典型值为20年
　　引脚数：48
　　安装方式：表面贴装

AM29PL160CB-65RSI采用独特的MirrorBit技术，这是一种基于氮化物电荷捕获结构的非易失性存储技术，与传统浮栅技术不同，它利用硅-氮-氧（SONOS或MONOS）结构在存储单元中存储两个独立的电荷包，分别对应“左”和“右”两个比特。这种双比特单元设计不仅提高了存储密度，还增强了器件的可靠性和耐久性，因为即使一个区域发生电荷泄漏，另一个比特仍可能保持完整。该技术使得AM29PL160CB-65RSI在保持较小物理尺寸的同时实现了较高的存储容量，特别适合空间受限的嵌入式应用。
　　该芯片支持标准的并行接口协议，兼容通用SRAM时序，便于与各类微处理器、DSP和控制器直接连接，无需复杂的接口逻辑或专用控制器。其65ns的快速访问时间能够满足大多数实时系统的性能需求，确保代码执行流畅。此外，器件内部集成了状态寄存器轮询机制和Toggle Bit功能，用于指示编程或擦除操作是否完成，从而实现高效的主机监控和错误处理。
　　AM29PL160CB-65RSI提供灵活的扇区架构，允许用户选择性地擦除特定区域而不影响其他数据，这对于固件升级、日志记录或配置存储非常有用。它还支持全局擦除命令，方便批量清除整个芯片内容。为了增强数据安全性，该器件具备多重写保护机制：可通过软件命令序列启用/禁用写保护；也可通过硬件方式（如拉高/拉低特定地址线）锁定部分或全部存储区域，防止因电源波动或程序异常导致的数据误写。
　　该芯片内置电荷泵电路，可在不需要外部12V编程电压的情况下完成编程和擦除操作（尽管仍保留Vpp引脚以兼容旧系统），大大简化了系统电源设计。同时，它支持低功耗待机模式，在未激活状态下电流消耗极低，有助于延长便携设备的电池寿命。AM29PL160CB-65RSI还具备优异的抗辐射和抗干扰能力，适用于工业和车载等复杂电磁环境。

AM29PL160CB-65RSI主要用于需要可靠、快速且可现场更新的程序存储解决方案的嵌入式系统中。其典型应用场景包括网络路由器、交换机和防火墙等通信设备中的BIOS或固件存储，这些设备通常要求启动代码能够快速加载并具备远程升级能力。在工业控制系统中，该芯片可用于存储PLC程序、人机界面（HMI）代码或实时操作系统（RTOS）映像，确保设备在断电后仍能保留关键程序数据。
　　在消费类电子产品方面，AM29PL160CB-65RSI曾广泛应用于机顶盒、打印机、数码相机和多媒体播放器等设备中，作为主控MCU的外置程序存储器。由于其支持XIP（eXecute In Place）功能，即CPU可以直接从Flash中执行代码而无需先将程序复制到RAM，因此可以减少系统对高速RAM的需求，降低整体成本。
　　在汽车电子领域，该芯片可用于车身控制模块、仪表盘显示系统或车载信息娱乐系统（IVI）中，存储启动代码、校准参数或诊断程序。其工业级温度范围和高可靠性使其能够适应车辆运行过程中的极端温度变化和振动环境。
　　此外，AM29PL160CB-65RSI也常被用于开发板、调试工具和测试设备中，作为可编程固件载体，便于工程师进行原型验证和系统调试。虽然随着串行NOR Flash（如SPI Flash）的普及，大容量并行Flash的市场份额有所下降，但在一些对带宽和随机访问速度有较高要求的传统系统中，该芯片仍然具有不可替代的价值。

S29PL160J-65FI
　　S29PL160J-65FSI
　　S29AL016D-65FSI
　　MBM29PL160BE-65KGI