容量：64Mbit
　　组织结构：8M x 8 / 4M x 16
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：90ns
　　封装类型：56-TSOP
　　温度范围：-40°C至+85°C
　　读取电流（典型值）：20mA
　　待机电流（典型值）：10μA
　　接口类型：并行异步接口
　　写入周期耐久性：100,000次

AM29LV641DH90RWHI具备多种高性能特性，首先是其非易失性存储能力，使得数据在断电后仍然能够保持不变，适用于需要长期存储数据的系统。该芯片支持异步读取操作，访问时间为90ns，具有较快的响应速度，能够满足实时系统对数据存取的高要求。
　　其次是其低功耗设计，在待机模式下电流消耗仅为10μA，有助于延长电池供电设备的续航时间。同时，该芯片支持宽电压范围（2.7V至3.6V），增强了其在不同电源环境下的适应性。
　　此外，AM29LV641DH90RWHI具备较高的可靠性，每个存储单元可承受多达100,000次擦写周期，确保了长期使用的稳定性。其支持的工业级温度范围（-40°C至+85°C）也使其适用于较为严苛的工作环境。
　　该芯片内部集成了多种保护机制，包括软件数据锁定功能和硬件写保护引脚，防止意外写入或擦除操作，提高系统数据的安全性和可靠性。同时，它支持多种编程和擦除操作模式，包括块擦除、整片擦除和字节/字编程，灵活性高。

AM29LV641DH90RWHI广泛应用于需要非易失性存储和快速读取能力的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制设备中的固件存储、通信设备中的配置信息保存、网络设备中的启动代码存储等。由于其低功耗和宽电压范围的特性，该芯片也适用于便携式设备、智能仪表、医疗设备等对电源管理和环境适应性有较高要求的系统。此外，在汽车电子系统中，如车载导航、车载信息娱乐系统等，该芯片可用于存储关键数据和程序代码。

S29GL64S90TFIV43, M58LV642HBA60Z1