制造商：AMD / Spansion / Cypress / Infineon
　　产品系列：Am29LV
　　存储容量：256 Mbit
　　存储结构：32 MB (32,768 x 64 KB)
　　供电电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：48-pin TSOP
　　访问时间：110 ns
　　接口类型：并行异步
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦写耐久性：100,000 次典型
　　数据保持时间：20 年最小
　　写保护功能：软件与硬件结合
　　总线宽度：x8/x16 可选
　　待机电流：典型 50 μA
　　编程电流：典型 20 mA

AM29LV256ML-113RPGI采用独特的MirrorBit? 存储技术，该技术通过在每个存储单元中存储两个独立的电荷区域来实现双倍数据密度，从而在不增加晶圆面积的前提下显著提升存储容量。这种创新结构不仅提高了集成度，还降低了单位比特成本，使其在大容量NOR Flash市场中具备竞争优势。MirrorBit技术利用氮化物层捕获电子，相较于传统浮栅技术具有更优的数据保持能力和抗辐射性能，特别适合工业控制、汽车电子和通信基础设施等对可靠性要求极高的应用场景。
　　该器件支持x8/x16两种总线宽度模式，用户可通过硬件配置自由切换，适应不同主控处理器的数据总线需求。在x16模式下，可提供更高的数据吞吐率，适用于高速代码执行；在x8模式下则更适合资源受限的小型微控制器系统。芯片具备快速随机读取能力（110ns访问时间），确保在无需将程序复制到RAM的情况下直接从Flash运行代码（XIP, eXecute In Place），大幅节省系统内存资源并加快启动速度。
　　AM29LV256ML-113RPGI集成了智能算法支持的嵌入式编程与擦除功能，所有写入和擦除操作均由片上状态机自动完成，减轻CPU负担。通过状态轮询位（DQ6/DQ7）或Toggle位可实时监控操作进度，确保系统及时响应。此外，芯片支持扇区擦除、整片擦除和临时块解保护等功能，允许精细管理存储区域，便于实现固件分段更新与备份机制。
　　为增强系统稳定性，该器件提供多重写保护机制：包括VPP高压检测、WP#引脚硬件保护、软件锁块命令以及上电/掉电时的自动写抑制功能。这些机制有效防止因电源波动、电磁干扰或程序错误引发的误操作，极大提升了现场运行的可靠性。同时，器件符合RoHS环保标准，采用无铅封装，满足现代电子产品绿色制造的要求。

AM29LV256ML-113RPGI广泛应用于需要大容量非易失性存储且对启动速度和运行可靠性有较高要求的嵌入式系统中。常见应用包括工业自动化控制器、PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备、网络路由器与交换机的固件存储、电信基站控制模块、医疗仪器的配置与日志存储、POS终端、安防监控系统的引导程序存储等。
　　在汽车电子领域，该芯片可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统、车载信息娱乐系统（IVI）的启动代码存储，其宽温特性和高抗干扰能力确保在极端气候条件下稳定运行。由于支持XIP模式，系统可以直接从Flash中执行操作系统或应用程序代码，避免额外配置大容量RAM，降低整体BOM成本。
　　在通信设备中，AM29LV256ML-113RPGI常被用于存放Bootloader、DSP固件、FPGA配置码流等关键数据，其快速读取特性保障了设备的快速启动与恢复能力。此外，在军工与航空航天领域，因其出色的耐久性和长期数据保持能力，也被用于存储飞行控制软件、传感器校准参数等重要信息。
　　该芯片还可作为小型嵌入式Linux系统的根文件系统载体，配合μClinux等无MMU操作系统实现完整的本地存储解决方案。其扇区结构设计便于实现磨损均衡（wear leveling）和坏块管理算法，进一步延长实际使用寿命。总体而言，AM29LV256ML-113RPGI是一款适用于多行业、多功能、高可靠性的通用型NOR Flash存储器解决方案。

S29GL256S-11FWHC5
　　S29GL256P-11FWHC1
　　MT28EW256ABA-12GM
　　IS25LP256D-JBLE