制造商：Cypress Semiconductor (原AMD/Spansion)
　　系列：Am29LV
　　存储容量：256 Mbit (32 MB)
　　存储器类型：NOR Flash
　　组织结构：16位数据宽度（x16）
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：64-ball FBGA (11 × 13 mm)
　　访问时间：110 ns
　　接口类型：并行异步接口
　　擦除扇区大小：可变扇区架构（包括小扇区和大块区）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护：支持硬件和软件写保护
　　JEDEC标准：符合相关Flash存储器规范
　　RoHS合规：是

AM29LV256ML-113REI的核心特性之一是其采用的MirrorBit? 技术，该技术通过在每个存储单元中存储两个独立的比特信息，显著提高了存储密度，同时降低了制造成本。这种创新结构利用了电荷在氮化物层中的非对称分布，使得单个物理单元可以存储两个数据位，从而实现等效于传统技术两倍的存储能力，而无需缩小工艺尺寸。这不仅提升了集成度，还增强了器件在高可靠性应用中的竞争力。
　　该芯片支持灵活的扇区架构，允许用户对特定扇区进行独立擦除和编程操作，最小扇区大小通常为4 KB或8 KB，适合精细管理固件更新或配置数据。这种灵活性有助于减少不必要的整片擦除，延长器件寿命并提高系统效率。此外，内置的嵌入式算法控制器（Embedded Algorithm Controller）可自动管理编程和擦除过程，包括电压调节、脉冲计数和验证步骤，减轻主处理器负担，并确保操作的可靠性。
　　在性能方面，110 ns的快速读取访问时间使其能够满足大多数嵌入式微处理器系统的时序要求，支持零等待状态操作，从而提升系统整体响应速度。该器件还具备高级电源管理模式，包括自动休眠和待机模式，在不进行操作时显著降低功耗，适用于电池供电或节能型系统。
　　AM29LV256ML-113REI具备强大的错误处理机制，支持内部ECC（纠错码）或可通过外部控制器实现数据校验，增强数据完整性。同时，其支持的硬件写保护引脚（WP#）可防止意外修改关键代码区域，如引导加载程序或安全密钥存储区。所有操作均符合工业级环境要求，具有良好的抗干扰能力和长期稳定性，适合部署在严苛工业或户外环境中使用。

AM29LV256ML-113REI广泛应用于多种需要高可靠性、中等容量非易失性存储的嵌入式系统中。在通信设备领域，常用于路由器、交换机和基站模块中存储操作系统映像、配置文件及固件代码，其快速启动能力和稳定读取性能保障了网络设备的高效运行。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备以及远程I/O模块中，用于保存用户程序、参数设置和诊断信息，支持长时间断电后数据不丢失。
　　在医疗电子设备中，例如便携式监护仪、超声成像系统或输液泵，该Flash器件可用于存储设备校准数据、操作日志和软件版本信息，其高可靠性和长数据保持能力确保了医疗数据的准确性与安全性。此外，在汽车电子领域，尽管该型号并非AEC-Q100认证器件，但仍可用于部分车载信息娱乐系统或车身控制模块的原型开发或非安全关键子系统中。
　　消费类电子产品如高端打印机、数字标牌、智能家电等也采用此类NOR Flash作为主控MCU的外部程序存储器，支持快速启动和现场升级功能。由于其支持扇区级擦写和写保护机制，特别适合实现安全启动、防篡改存储和差分固件更新等高级功能。结合其BGA小型封装，该芯片也适用于空间紧凑的便携式设备设计，满足现代电子产品对小型化和高性能的双重需求。

S29GL256S-11ACPFI
　　S29GL256P-11ACPFI
　　MT28EW256ABA-12GM
　　IS26LV256L-12B