制造商：AMD / Spansion / Cypress / Infineon
　　产品系列：AM29LV
　　存储容量：256 Mbit (32 MB)
　　组织结构：16M x 16 位 或 8M x 32 位（取决于配置）
　　电源电压：2.7V ~ 3.6V
　　访问时间：110 ns
　　封装类型：TSOP-80 或 FBGA
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　接口类型：并行异步接口
　　编程电压：单电源 3V 编程
　　擦除方式：扇区擦除 / 块擦除 / 整片擦除
　　数据保持时间：> 20 年
　　擦写耐久性：100,000 次以上

AM29LV256MH113REF 具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有重要地位。首先，它采用 3V 单电源供电进行读取与编程操作，无需额外的高压编程电源（如传统的 12V Vpp），极大地简化了系统电源设计，并提高了系统的安全性和可靠性。其次，该芯片支持内建的命令集架构（Command Set Architecture），用户可通过向特定地址写入标准命令序列来执行编程（字/字节写入）、扇区擦除、块擦除及整片擦除等操作，这种机制不仅标准化了软件驱动开发流程，也增强了不同厂商之间产品的兼容性。此外，器件内置了自动编程定时控制（Auto-Program Algorithm）与自动擦除定时控制（Auto-Erase Algorithm），有效减少了外部控制器负担，提升了编程效率与成功率。
　　另一个显著特点是其高可靠性设计：每个存储单元经过优化，可承受超过 100,000 次的擦写循环，且在断电情况下仍能保持数据长达 20 年以上，适合长期部署于工业、医疗、车载等严苛环境中。同时，芯片具备硬件写保护功能，包括 WP# 引脚控制与内部状态寄存器锁定机制，防止意外写入或擦除操作，确保关键固件的安全性。在性能方面，110ns 的快速访问时间使得该器件能够满足中高端嵌入式处理器对启动代码快速加载的需求，尤其适用于 XIP（eXecute In Place）应用场景，即 CPU 直接从 Flash 中执行代码而无需复制到 RAM，从而节省内存资源并加快启动速度。
　　为了提升系统稳定性，AM29LV256MH113REF 还集成了多种错误检测与反馈机制，例如 Toggle Bit 和 Data# Polling 功能，可用于实时监测编程或擦除操作是否完成，避免超时等待或误判。部分型号还支持 VPP 检测、低电压锁定（Low VCC Lockout）等功能，防止在电源不稳定时发生误操作。虽然该器件属于较早期的并行 Flash 架构，随着串行 SPI Flash 的普及而逐步退出主流市场，但在一些需要大容量并行接口、高可靠性和成熟生态支持的应用场景中，依然具有不可替代的价值。

AM29LV256MH113REF 主要应用于各类需要大容量、高可靠性非易失性存储的嵌入式系统中。一个典型的应用是作为主固件存储器，在工业控制设备如 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和数控机床中用于存放操作系统、控制程序和配置参数。由于其支持 XIP（就地执行）模式，微处理器可以直接从该 Flash 芯片中读取并执行代码，无需将整个程序加载至 RAM，这在资源受限的嵌入式环境中尤为重要，有助于降低系统成本并提高响应速度。
　　在网络通信设备中，如路由器、交换机、基站控制器等，AM29LV256MH113REF 常被用来存储引导程序（Bootloader）、设备固件映像以及运行配置备份。其快速读取能力和稳定的长期数据保持特性，确保了设备在频繁重启或长时间运行下的可靠性。在军事与航空航天领域，尽管对辐射硬化有更高要求，但在非极端环境下，该芯片也被用于地面测试设备、雷达信号处理模块和导航系统中，因其具备良好的温度适应性和抗干扰能力。
　　消费类电子产品中，例如高端打印机、POS 终端、多媒体播放器等也曾广泛采用此类并行 NOR Flash 存储启动代码和应用程序。此外，在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘控制单元和 ADAS（高级驾驶辅助系统）的早期版本中，AM29LV256MH113REF 提供了可靠的代码存储方案。即使当前趋势转向更小封装、更低功耗的串行 Flash，该器件在旧有设备维护、产线替换和备件供应方面仍有持续需求。

S29GL256S_113
　　S29GL256P_113
　　MT28EW256ABA_113
　　IS26LV256L-113